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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎,CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
在功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
東芝推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能
日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...
美信檢測榮獲車規(guī)級功率半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)杰出供應(yīng)商
近日,以 “車啟芯時(shí)代,引領(lǐng)芯未來” 為主題的 2025 全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體峰會(GAPS)在杭州隆重開幕。深圳市美信檢測技術(shù)股份有限公司(以下簡稱“...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管SiC功率半導(dǎo)體 424 0
高頻感應(yīng)電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳...
2025-02-10 標(biāo)簽:SiC感應(yīng)電源碳化硅 415 0
薩瑞微電子SiC 和 GaN賦能AI服務(wù)器電源系統(tǒng)
01AI服務(wù)器電源的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)需求超高功率密度:單機(jī)架功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦(如英偉達(dá)DGX-2需10kW,未來GB300芯片預(yù)計(jì)...
工商業(yè)儲能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時(shí)代
工商業(yè)儲能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時(shí)代的核心原因,可歸結(jié)為技術(shù)性能突破、經(jīng)濟(jì)性提升、政策驅(qū)動及市場需求增長等多重因素的共同推動。以下...
?9.1.2增益參數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.1.2增益參數(shù)9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPL...
基于碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)成為海外工商儲市場的破局利器
基于基本股份(BASiC)的碳化硅(SiC)功率模塊的儲能變流器(PCS)在海外工商儲市場成為出海破局利器,主要得益于以下多維度優(yōu)勢: --- ### ...
英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部:做更可靠的SiC解決方案提供商
英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體市場絕對的領(lǐng)軍者,對全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月,英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率(G...
SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象
結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家Si...
天岳先進(jìn)占據(jù)全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場第二
在電動汽車、電力設(shè)備以及能源領(lǐng)域驅(qū)動下,SiC功率器件市場需求整體堅(jiān)挺, 2030年SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到近150億美元,占到整體功率器件市場約2...
新品 | 采用電平位移驅(qū)動器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅(qū)動器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等;在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等;在IT基礎(chǔ)設(shè)...
MG600Q2YMS3 硅基碳化物(SiC)N溝道MOSFET模塊
產(chǎn)品概述 MG600Q2YMS3 是一款基于硅基碳化物(SiC)技術(shù)的高功率N溝道MOSFET模塊,適用于高功率開關(guān)和電機(jī)控制應(yīng)用,如軌道牽引系統(tǒng)。其設(shè)...
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、...
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議
SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制...
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