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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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深度分析與解讀功率半導體發展走向的“三個必然”及其產業影響 ? 一、功率半導體發展的“三個必然”的技術內涵與歷史性變革 分析與解讀功率半導體發展走向的“...
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創新X.PAK封裝技術
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的...
至2023整個財年，英飛凌預計營收將達到約155億歐元（±5億歐元）。如果營收為預測區間的中點，則調整后的毛利潤率預計將達到45%左右，利潤率在25%左...
比亞迪 · 超級e平臺 · 技術方案的全面揭秘 | 第二曲：1500V SiC功率半導體的秘密
以下內容發表在「SysPro系統工程智庫」知識星球-關于最新比亞迪超級e平臺的技術方案深度揭秘，共四部分-文字原創，素材來源：比亞迪,Danfoss,B...
? -共/創/共/享.同/芯/同/行- 2022年慕尼黑華南電子展圓滿落幕！ ? 合作共贏 2022年11月15-17日，為期三天的“2022慕尼黑華南...
傾佳電子楊茜向您拜年：以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來！
新春賀辭 尊敬的電力電子行業伙伴與客戶朋友們： 祥龍回首辭舊歲，金蛇起舞迎新年！在這萬象更新的美好時刻，我謹代表傾佳電子及團隊，向廣大客戶、合作伙伴致以...
新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...
電動汽車領域的發展日新月異：電動動力系統正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進，以提升車輛自主性和續航里程。車載充電器(OBC)作為這一發展的核心部件，必須...
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統成本
近日，半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(...
在現代社會，工廠的工業產品生產活動和廠房的運轉等都會消耗大量的能源。然而，近年來，全球眾多國家和地區加快了實現碳中和的進程，這就要求各行各業的企業付出超...
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，將主辦一系列面向工程師的電源在線直播，以提高他們的電源設計敏銳性，從而...
國產SiC模塊賦能組串式儲能變流器（PCS）助力能源高效利用
SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲能變流器（PCS）首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下： BM...
此前，2025年5月14日至15日，第十二屆汽車電子創新大會（AEIF 2025）在上海盛大舉行，這場盛會聚焦汽車電子產業的前沿技術與發展趨勢，匯聚了眾...
眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關鍵...
新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21...
９.３ 晶閘管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選...
2022-03-25 標簽：SiC 485 0
隨著人工智能持續重新定義計算的邊界，為這些進步提供動力的基礎設施也必須同步發展。作為功率半導體技術領域公認的領導者，羅姆很榮幸成為支持英偉達全新800V...
近日，西永微電園華潤微電子舉辦功率模塊新品發布會。發布了基于高壓超結MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規主驅模塊及IPM模塊等系列新品主要應用...
近日，國內半導體龍頭芯聯集成發布2024年全年業績公告。數據顯示，公司全年實現營業收入65.09億元，其中主營業務收入62.76億元，同比增長27.8%...
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