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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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方正微電子亮相2025慕尼黑上海電子展

方正微電子攜碳化硅全場(chǎng)景解決方案，亮相上海慕尼黑電子展，這場(chǎng)以“車規(guī)碳化硅功率專家”為核心的場(chǎng)景化展示，引來了客戶、媒體、同行矚目，紛紛來展臺(tái)交流參觀，...

2025-04-17 標(biāo)簽：SiC 碳化硅慕尼黑上海電子展 450 0

納微半導(dǎo)體攜尖端GaN/SiC功率產(chǎn)品亮相PCIM 2023

作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會(huì)，PCIM 2023將于5月9日至11日在德國(guó)紐倫堡盛大召開，會(huì)上將展開超400篇國(guó)際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流...

2023-05-08 標(biāo)簽：SiC GaN 納微半導(dǎo)體 449 0

新品 | CoolSiC? MOSFET 3.3 kV XHP? 2半橋模塊

新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯(lián)技術(shù)。產(chǎn)品...

2024-12-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 447 0

海外儲(chǔ)能PCS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì)：基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命

進(jìn)入2025年，海外儲(chǔ)能市場(chǎng)呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場(chǎng)得到廣泛認(rèn)可并得...

2025-03-30 標(biāo)簽：SiC 碳化硅儲(chǔ)能PCS 446 0

為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET

采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素...

2025-06-09 標(biāo)簽：MOSFET 服務(wù)器意法半導(dǎo)體 446 0

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場(chǎng)景適配性等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...

2025-02-13 標(biāo)簽：IGBT SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 445 0

PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是...

2025-03-27 標(biāo)簽：二極管服務(wù)器 SiC 444 0

英飛凌本季度出貨首批8英寸SiC產(chǎn)品

近日，英飛凌宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：將于本季度向客戶交付首批基于先進(jìn)的200mm(即8英寸)晶圓SiC(碳化硅)技術(shù)的產(chǎn)品。這一消息的發(fā)布，標(biāo)志著英飛凌在S...

2025-02-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌晶圓 443 0

東海半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展

此前，2025年4月15日至17日，東海半導(dǎo)體攜前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果亮相2025慕尼黑上海電子展。作為全球電子行業(yè)的重要交流平臺(tái)，本次展會(huì)匯聚了來自世界各...

2025-04-22 標(biāo)簽：功率器件 SiC 慕尼黑上海電子展 442 0

淺談功率半導(dǎo)體的未來

來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 制造工藝、材料和包裝技術(shù)的進(jìn)步，加上新的應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)，正在為寬帶隙器件創(chuàng)造各種各樣的復(fù)蘇。電子制造業(yè)正以高于美國(guó)GDP的穩(wěn)定...

2023-02-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 441 0

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用

幾十年來，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限...

2024-10-24 標(biāo)簽：電力電子 SiC GaN 441 0

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“T...

2025-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 東芝 SiC 440 0

瞻芯電子邀您相約PCIM Europe 2025

瞻芯電子將于2025年5月6日至8日在德國(guó)紐倫堡的PCIM Europe 2025展會(huì)上展出。我們的核心團(tuán)隊(duì)成員將在我們的展位歡迎您。

2025-04-27 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 439 0

國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析

分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個(gè)SiC MOSFET型號(hào)（B3M040065Z和B3M040120Z）在T型三電平...

2025-02-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 438 0

SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹

EVDC-DC轉(zhuǎn)換器SemiQ的SiC產(chǎn)品為汽車應(yīng)用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET，旨在最大限度地提高...

2024-05-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 436 0

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析：從IGBT模塊可靠性問題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功...

2025-03-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 435 0

只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆

采用碳化硅（SiC）功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器（PCS）之所以被稱為“印鈔機(jī)”，是因?yàn)槠湓谛省⒊杀尽⒖煽啃院拖到y(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破，顯著提升了...

2025-03-17 標(biāo)簽：SiC 功率模塊變流器 435 0

國(guó)產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢(shì)分析以及全面取代老舊的2000V器件...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC MPPT 飛跨電容 434 0

SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢(shì)

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展，尤其是在電力電子領(lǐng)域，寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅（SiC）作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的物理性能...

2025-04-17 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 433 0

汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變，碳化硅是否隨著更改？

汽車一直是碳化硅（SiC）的主要應(yīng)用市場(chǎng)。在整個(gè)汽車半導(dǎo)體供需發(fā)生改變的情況下，碳化硅是否還會(huì)延續(xù)此前供不應(yīng)求的市場(chǎng)行情？

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 432 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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