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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅（SiC）MOSFET的柵氧可靠性成為電力電子客戶應用中的核心關切點
為什么現在越來越多的客戶一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商聊的第一個話題就是碳化硅MOSFET的柵氧可靠性，碳化硅（SiC）MOSFET的柵氧...
英飛凌科技持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署...
隨著SiC材料特性的深入發掘和技術的不斷成熟，SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、工業變頻器、軌道交通牽引變流器等工業應用中展現出顯著優勢，不僅大幅提...
本文是按照2024年“第十八屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行...
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFE...
中國電力電子廠商創新之路：采用國產SiC模塊全面取代進口IGBT模塊
國產碳化硅（SiC）模塊取代進口IGBT模塊，是當前電力電子系統創新升級的核心路徑。這一趨勢不僅是技術迭代的必然結果，更是政策引導、供應鏈安全需求與產業...
９.１.３ 端電流∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.１.３端電流９.１雙極結型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD...
2022-03-14 標簽：SiC 378 0
安森美SiC Combo JFET UG4SC075005L8S的技術優勢
安森美（onsemi）的UG4SC075005L8S在AI PSU設計中非常受歡迎，有助于實現下一代20 kW系統，以創新的Combo架構、高能效、高可...
125KW工商業儲能變流器SiC模塊取代老舊IGBT模塊方案的技術優勢
傾佳電子楊茜分析在125kW工商業儲能變流器（PCS）應用中，國產SiC（碳化硅）模塊全面取代傳統老舊IGBT模塊的技術優勢主要體現在以下方面： ? 傾...
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機應用為例做國產SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業
SiC MOSFET模塊（BMF80R12RA3和BMF160R12RA3）能夠替代傳統IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業，主要原因在于： SiC...
從深圳V2G車網互動看國產SiC模塊在雙向充電樁應用的市場潛力
從深圳V2G聯網試驗看國產SiC模塊在雙向充電樁應用的市場潛力 深圳近期開展的全國最大規模車網互動（V2G）實測活動（覆蓋760個充電場站、1.7萬車次...
國產SiC碳化硅模塊解決工商業儲能PCS多維度痛點的技術優勢
BMF240R12E2G3解決工商業儲能PCS多維度痛點的技術優勢分析 一、效率提升：高頻、低損耗與高溫穩定性 低導通電阻與開關損耗優勢 BMF240R...
從國產SiC器件質量問題頻發的亂象看碳化硅功率半導體行業洗牌
近期，多家客戶接連發生國產SiC碳化硅MOSFET功率半導體質量問題，嚴重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導體國產化替代進程，從...
在環境問題、國家法規和消費者壓力的推動下，全球汽車電氣化競賽正在進行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導體，一直是電動汽車(EV)的技術加速器，因為它提...
超高壓與高頻化：國產SiC碳化硅功率器件供應商（比如BASiC基本股份）研發3300V及以上SiC MOSFET，適配海上風電、軌道交通需求；突破MHz...
半導體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風能電力轉換器的使用壽命。SiC（碳化硅）由于其寬帶隙而用于高功率應用。
國產SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC（車載充電機）等領域出現柵氧可靠性問題后，行業面臨嚴峻挑戰。面對國產SiC碳化硅MOSFET廠家柵氧可靠...
2022年我們主要聚焦于碳化硅長晶熱場材料和多孔石墨材料的開發。在針對不同類型長晶爐的保溫需求方面做了各自適配的固化氈產品。
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