進入2025年，海外儲能市場呈現發展新的技術發展趨勢：通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲能變流器PCS在海外市場得到廣泛認可并得到客戶買單，比如德國SMA推出新一代采用SiC MOSFET功率模塊的構網型儲能變流器PCS，而采用IGBT模塊的儲能變流器PCS逐漸成為技術平庸和落后的代名詞。

國產儲能變流器PCS企業把握海外市場這種變化趨勢，特別是國產SiC功率模塊企業如何協同助力國產儲能變流器PCS廠商出海的具體機會與行動路徑：可以從技術、成本、產業鏈協同、市場布局等多個維度展開。

一、技術優勢與產品迭代：采用碳化硅SiC功率模塊的儲能變流器PCS以高效率高壽命搶占市場

高頻性能與系統優化
SiC模塊的高開關頻率（可達40kHz以上）顯著降低開關損耗（較IGBT減少70%-80%），并減少電感、電容等無源器件的體積，提升功率密度。例如，采用SiC模塊的儲能變流器可將電感體積縮小至傳統方案的1/3，系統效率提升1%-3%，適配高頻化、高功率密度的市場需求。

案例：BMF240R12E2G3模塊，其導通電阻僅5.5mΩ，支持高頻運行，已應用廣泛應用于工商業儲能變流器PCS。

高溫穩定性與可靠性
SiC材料耐高溫（結溫達175℃以上），且高溫下導通電阻的負溫度特性（損耗隨溫度升高而下降），顯著優于IGBT的高溫劣化問題。這一特性可簡化散熱設計，降低系統成本30%。

構網型儲能PCS的技術適配
國產企業通過四橋臂拓撲技術和SiC模塊的集成，開發出支持寬頻自穩控制、多場站級同步運行的構網型變流器，滿足弱電網區域的新能源離并網需求，提升電網主動支撐能力。

二、成本優勢與規模化效應：國產SiC模塊打破海外廠商IGBT模塊定價權

國產供應鏈成本下探
中國6英寸SiC襯底產能增至2024年的超500萬片/年，占據全球70%以上產能，單片價格從700美元降至300美元以下，降幅超50%。

全生命周期經濟性
SiC方案在光伏和儲能系統中效率提升3%-5%，全生命周期電費節省顯著提升投資收益。以1500V光伏系統為例，采用SiC后效率突破99%，光儲市場SiC規模在2024年同比增長150%。

三、國產SiC模塊產業鏈協同與國產替代進口IGBT模塊加速

垂直整合與生態合作
儲能變流器PCS系統廠商直接參股SiC供應鏈，推動定制化器件開發，壓縮成本并提升技術適配性。國產SiC模塊廠商從芯片到驅動方案的全套SiC解決方案，替代英飛凌、三菱富士等IGBT模塊。

封裝與驅動技術突破
國產模塊采用氮化硅AMB陶瓷基板（導熱率90W/mK）、Press-Fit壓接技術等先進封裝，降低熱阻并提升可靠性。同時，配套驅動芯片（如BTD25350系列）集成米勒鉗位功能，抑制SiC MOSFET誤開通，確保開關安全。

四、國產儲能變流器PCS海外市場拓展策略

認證與渠道布局
國內PCS企業已通過北美、歐盟認證，并進入美國市場。

國產SiC模塊性價比與差異化競爭
國產SiC模塊較海外同類產品價格低20%-30%，國產PCS通過國產SiC模塊打造的高效率高壽命系統優勢，吸引海外集成商采購。

國產SiC模塊聚焦細分場景
針對工商業儲能、光儲微網等場景推出標準化模塊，滿足海外客戶對靈活配置和高性價比的需求。

五、國產SiC模塊未來挑戰與應對

技術瓶頸：國產SiC模塊需持續優化芯片設計（如第三代SiC MOSFET的鈍化層可靠性提升）和驅動方案，以匹配高頻應用需求。

國產SiC模塊國際競爭：應對英飛凌等傳統巨頭轉向SiC擴產的競爭，需加速8英寸晶圓量產（預計2025年實現），進一步降低單價至硅基IGBT水平。

國產SiC模塊市場需求波動：通過綁定頭部集成商和參與國際標準制定，降低終端需求不確定性風險。

總結

國產SiC模塊企業需以高頻高效、成本優勢和技術迭代為核心，通過垂直整合供應鏈、加速海外認證、聚焦細分市場，全面替代現有老舊IGBT方案。未來隨著8英寸晶圓量產和構網型技術的成熟，國產SiC功率模塊隨著國產儲能變流器PCS出海進一步擴大全球市場份額，推動國產儲能變流器PCS自主可控的產業升級，提升國產儲能變流器PCS海外市場競爭力。

審核編輯 黃宇