SK海力士開發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開始量產(chǎn)。

2023-08-31 標(biāo)簽：DRAM人工智能SK海力士 858 0

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達(dá)H200

美國記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)（NVIDIA）H20...

2024-02-28 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM3E 838 0

三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過英偉達(dá)測試

韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測試，預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而...

2024-07-05 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM3E 835 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個月大規(guī)模生產(chǎn)，專用于英偉達(dá)AI芯片

值得一提的是，半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個階段，而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個環(huán)節(jié)，正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿...

2024-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NVIDIASK海力士 833 0

三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試

近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報道并不屬實(shí)。

2024-08-08 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM3E 814 0

GPU需求高漲,原廠競相把握HBM3e市場機(jī)遇

AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升，近期消息顯示，不僅HBM（高帶寬存儲器）出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的情況，英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)的GPU也面...

2024-10-15 標(biāo)簽：gpuAIHBM 811 0

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。...

2024-09-27 標(biāo)簽：AISK海力士HBM3E 783 0

NVIDIA預(yù)購大量HBM3E內(nèi)存

1月2日消息，韓媒報道，NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）的預(yù)付款，業(yè)內(nèi)預(yù)計了這筆款項(xiàng)在10....

2024-01-02 標(biāo)簽：NVIDIASK海力士HBM 772 0

SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可...

2024-04-25 標(biāo)簽：三星電子SK海力士HBM3E 719 0

NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 標(biāo)簽：人工智能英偉達(dá)HBM3 614 0

美光開始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在...

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器人工智能 600 0

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E，推動人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納（Sumit Sadana）稱，公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占...

2024-02-27 標(biāo)簽：DRAM美光HBM 571 0

美光搶灘市場，HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處...

2024-02-29 標(biāo)簽：gpu美光人工智能 560 0

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評價

美光已明確表示，預(yù)期明年將進(jìn)占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM美光英偉達(dá) 525 0

三星與英偉達(dá)高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)

近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部...

2025-02-18 標(biāo)簽：存儲器英偉達(dá)三星 496 0