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SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲器產品組合亮相2025國際電腦展

SK海力士 ? 來源:SK海力士 ? 2025-06-05 14:13 ? 次閱讀

SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺北國際電腦展(COMPUTEX Taipei 2025,以下簡稱COMPUTEX)上,展示了其涵蓋AI服務器、個人電腦和移動設備等多個領域的豐富產品組合。

作為亞洲規模最大的ICT博覽會,COMPUTEX匯聚了全球領先的IT企業,集中展示前沿技術與創新解決方案。這一聚焦AI、數據中心等核心領域技術演進與產業趨勢的重要平臺,今年以“AI Next”為主題,吸引了超過1400家企業參展,全方位呈現了“智能運算與機器人”、“次世代科技”以及“未來移動”等領域的創新成果。

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SK海力士展臺

本次展會,SK海力士以“存儲器,驅動人工智能與未來(MEMORY, POWERING AI AND TOMORROW)”為主題,精心打造了四大展區:分別為“面向AI的HBM(HBM for AI)解決方案”、“數據中心(Data Center)解決方案”、“移動/PC端解決方案(Mobile/PC)”,以及“道德與ESG實踐(Ethic & ESG)”,全面展示了其多樣化面向AI的存儲器解決方案。

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“面向AI的HBM解決方案”展區

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HBM4及HBM3E展示

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英偉達AI服務器專屬GPU模塊GB200,配備12層堆疊的36GB高帶寬存儲器HBM3E

在“面向AI的HBM解決方案”展區,SK海力士展示了其最新HBM解決方案,包括12層HBM41和12層HBM3E。其中,HBM4具備目前業界最高水平的運行速度,高達2TB/s(每秒2太字節),該產品通過優化基板設計,在改善連接HBM與邏輯半導體基礎裸片性能的同時,實現更低的功耗表現。2025年3月,SK海力士已率先向主要客戶交付了12層HBM4樣品 [相關報道],并預計于今年下半年投入量產。此外,公司還公布了計劃于2026年推出的16層HBM4技術開發路線圖。

1高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory):一種高附加值、高性能存儲器,通過垂直互聯多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數據處理速度。HBM DRAM產品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)、HBM4(第六代)的順序開發。

此外,SK海力士還帶來36GB(千兆字節)12層HBM3E,與搭載了該產品的英偉達AI服務器專用GPU模塊GB200一并展出。

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“數據中心解決方案”展區

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SK海力士服務器DIMM產品系列

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SK海力士服務器存儲解決方案系列

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SK海力士子公司Solidigm解決方案

在“數據中心解決方案”展區,SK海力士展示了一系列可提升AI服務器性能并降低能耗的服務器DRAM模塊和企業級固態硬盤(eSSD)產品。其中服務器DRAM模塊包括:搭載8Gb/s(每秒8千兆位)速率DRAM的64GB-256GB容量RDIMM2產品;搭載12.8Gb/s速率DRAM的96GB-256GB容量MRDIMM3產品;以及搭載7.5Gb/s速率LPDDR5X4的128GB容量SOCAMM5等。

2寄存雙列直插式內存模組(RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module):將多個DRAM組合在一塊電路基板上的服務器模塊產品。

3多路復用列雙列直插內存模組(MRDIMM, Multiplexed Rank Dual In-line Memory Module):一種同時運行兩個內存列(模組的基本運行單元)以提高內存速率的模塊產品。

4LPDDR5X:移動設備低功耗DRAM規格的LPDDR第七代(5X)產品,按照1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發。

5SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module):一種基于低功耗DRAM的內存模組,特別適用于AI服務器。

SK海力士介紹,公司全球首創的采用第六代10納米級(1c)6工藝的DDR5高性能模塊,在展會上獲得了高度關注。

610納米(nm)級DRAM工藝技術按1x(第一代)-1y(第二代)-1z(第三代)-1a(第四代)-1b(第五代)-1c(第六代)順序開發。SK海力士于2024年8月在全球首次成功開發1c技術。

在企業級固態硬盤(eSSD)專區,SK海力士展示了其最高容量可達61TB的超高容量存儲解決方案。特別值得關注的是基于238層4D NAND技術的第五代PCIe7產品PEB110,以及基于QLC8實現61TB超高容量的PS1012,這些創新產品將針對AI數據中心提供優化支持和卓越性能。

7PCIe(Peripheral Component Interconnect express):用于數字設備主板上串行結構的高速輸入/輸出接口

8根據NAND閃存單元(Cell)中存儲位數的不同,可分為SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Muti Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)等規格。

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“移動/PC端解決方案”展區

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“移動/PC端解決方案”展區

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PC端DRAM及NAND閃存產品

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移動端DRAM及NAND閃存產品

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“道德與ESG實踐”展區

“移動/PC端解決方案”展區展示了SK海力士在端側AI革命中引領潮流的DRAM和NAND閃存產品矩陣。移動端產品包括運行速度高達10.7Gb/s的低功耗DRAM產品LPDDR5X,以及基于238層4D NAND技術的存儲器UFS4.1。在PC端,SK海力士推出了基于1c DDR5的DRAM產品CSODIMM9、基于LPDDR5X的模塊化解決方案LPCAMM210、專為AI PC設計的高性能固態硬盤PCB01,以及目前在單芯片標準中具備業界領先水平28Gb/s速率的圖形用DRAM產品GDDR7。

9小型雙列直插式內存模塊(Compression SODIMM):一種基于PC中使用的小型雙列直插式內存模塊(SODIMM, Small Outline DIMM)開發的新型外形規格,相比SODIMM具備更高性能與更高密度。

10LPCAMM2(Low Power Compression Attached Memory Module 2):基于LPDDR5X的模塊解決方案,其性能表現相當于一個LPCAMM2就能替代兩個傳統DDR5 SODIMM的性能效果,同時具備節省空間、低功耗和高性能特性。

此外,公司還展示了搭載在技嘉(GIGABYTE)、華碩(ASUS)、聯想(Lenovo)等全球合作伙伴硬件設備中的SK海力士DRAM和NAND閃存產品,并表示已構建起覆蓋從筆記本電腦到服務器等廣泛需求的產品矩陣。

值得一提的是,SK海力士在“道德與ESG實踐”展區特別展示了其入選“2025年全球最具商業道德企業(World’s Most Ethical Companies)”的案例,強調了公司正憑借全球最高水平的道德經營體系及實踐,持續深化與各利益相關方的信任紐帶。

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SK海力士金柱善社長(CMO,Chief Marketing Officer)(左起第二位)與英偉達CEO黃仁勛合影

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本次2025臺北國際電腦展,SK海力士與英偉達進一步鞏固了合作伙伴關系

SK海力士表示:“通過此次展會,公司進一步鞏固了作為面向AI的存儲器市場領導者的行業認知,并深化了與全球合作伙伴的戰略關系。”同時強調:“我們將通過與客戶在AI服務器、數據中心,以及端側AI等多個領域的緊密合作,及時提供最優產品,持續強化公司作為‘全方位面向AI的存儲器供應商’的地位。”

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原文標題:SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲器產品組合亮相2025國際電腦展

文章出處:【微信號:SKhynixchina,微信公眾號:SK海力士】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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