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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強大成為 AI/ML 和其他高性能計算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。

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hbm3e資訊

HBM3E量產(chǎn)后，第六代HBM4要來了！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展，原本SK...

2024-07-28 標(biāo)簽：存儲 HBM HBM3E 5645 0

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票...

2024-04-06 標(biāo)簽：存儲芯片 HBM pcle 5123 0

英偉達(dá)發(fā)布新一代H200，搭載HBM3e，推理速度是H100兩倍！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）日前，英偉達(dá)正式宣布，在目前最強AI芯片H100的基礎(chǔ)上進(jìn)行一次大升級，發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...

2023-11-15 標(biāo)簽：英偉達(dá)HBM3 HBM3E 4556 0

風(fēng)景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）在早前的報道中，對于HBM產(chǎn)能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產(chǎn)品升級的步伐。 ? 三大廠...

2024-10-06 標(biāo)簽：SK海力士 HBM3 HBM3E 4430 0

三星存儲，開始反擊！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，三星電子公布了其第三季度財報，顯示該公司芯片季度營業(yè)利潤達(dá)3.86萬億韓元，遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬億韓元，環(huán)比爆...

2024-11-04 標(biāo)簽：存儲三星 HBM3E 3694 0

追趕SK海力士，三星、美光搶進(jìn)HBM3E

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1...

2023-10-25 標(biāo)簽：美光三星 HBM3 3460 0

存儲技術(shù)進(jìn)入爆發(fā)期，SK海力士321層NAND，HBM3e，LPDDR5T紛至沓來

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）我們?nèi)缃裾幱谛畔r代，而存儲作為信息的載體，對當(dāng)今技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。通常存儲芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器，用...

2023-08-14 標(biāo)簽：存儲 SK海力士 LPDDR 2699 1

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了...

2024-03-30 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 2501 0

三星強化HBM工作團(tuán)隊為永久辦公室，欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。

2024-03-10 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM 2049 0

AI大模型不斷拉高上限，內(nèi)存控制器IP提早部署，力拱HBM3E的到來

自2012年以來，大規(guī)模的AI訓(xùn)練所使用的數(shù)據(jù)集的計算量以每年10倍的速度增長。比如在2022年11月ChatGPT的版本參數(shù)是1750億個，今年3月的...

2023-12-13 標(biāo)簽：Rambus 內(nèi)存控制器 HBM3 1776 0

價格暴漲500%，HBM3e市場徹底被引爆

內(nèi)存技術(shù)作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。

2024-02-23 標(biāo)簽：DRAM DDR 內(nèi)存技術(shù) 1647 0

英偉達(dá)宣布推出新一代GPU Blackwell，SK海力士已量產(chǎn)HBM3E

在英偉達(dá)GTC 2024大會上，英偉達(dá)CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

2024-03-20 標(biāo)簽：存儲器英偉達(dá)SK海力士 1579 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn)，AI性能提升30倍，成本能耗降低96%

同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠...

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 1568 0

今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量；SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E

1. 臺積電2nm 小規(guī)模試產(chǎn) ? 臺積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝，日本SMC社長高田芳樹近日表示，臺積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線上采用SMC的水...

2024-09-26 標(biāo)簽：臺積電華為 SK海力士 1549 0

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片，存儲容量高達(dá)36

三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜（TC NCF）技術(shù)，成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。

2024-02-27 標(biāo)簽：芯片 HBM 三星 1462 0

英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時代打造

2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計算機圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級...

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美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：M...

2024-03-04 標(biāo)簽：內(nèi)存 Micron 美光 1430 0

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器

在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器 SK海力士 1379 0

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。

2024-03-20 標(biāo)簽：存儲器人工智能數(shù)據(jù)處理 1358 0

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HB...

2024-02-27 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存 HBM 1349 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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