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標(biāo)簽 > hbm3e
HBM(High Bandwidth Memory,HBM) 性能強大成為 AI/ML 和其他高性能計算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出,是最新一代的高帶寬內(nèi)存;我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK...
押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日,韓國股市開盤后,存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%,市值已超過 1,000 億美元,受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票...
英偉達(dá)發(fā)布新一代H200,搭載HBM3e,推理速度是H100兩倍!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)日前,英偉達(dá)正式宣布,在目前最強AI芯片H100的基礎(chǔ)上進(jìn)行一次大升級,發(fā)布新一代H200芯片。H200擁有141GB的內(nèi)...
風(fēng)景獨好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)在早前的報道中,對于HBM產(chǎn)能是否即將過剩,業(yè)界有不同的聲音,但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產(chǎn)品升級的步伐。 ? 三大廠...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,三星電子公布了其第三季度財報,顯示該公司芯片季度營業(yè)利潤達(dá)3.86萬億韓元,遠(yuǎn)低于上一季度的6.45萬億韓元,環(huán)比爆...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看,HBM歷經(jīng)HBM1...
存儲技術(shù)進(jìn)入爆發(fā)期,SK海力士321層NAND,HBM3e,LPDDR5T紛至沓來
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)我們?nèi)缃裾幱谛畔r代,而存儲作為信息的載體,對當(dāng)今技術(shù)的發(fā)展至關(guān)重要。通常存儲芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器,用...
HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了...
三星強化HBM工作團(tuán)隊為永久辦公室,欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?
這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機,并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。
AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來
自2012年以來,大規(guī)模的AI訓(xùn)練所使用的數(shù)據(jù)集的計算量以每年10倍的速度增長。比如在2022年11月ChatGPT的版本參數(shù)是1750億個,今年3月的...
2023-12-13 標(biāo)簽:Rambus內(nèi)存控制器HBM3 1776 0
內(nèi)存技術(shù)作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。
2024-02-23 標(biāo)簽:DRAMDDR內(nèi)存技術(shù) 1647 0
英偉達(dá)宣布推出新一代GPU Blackwell,SK海力士已量產(chǎn)HBM3E
在英偉達(dá)GTC 2024大會上,英偉達(dá)CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell,第一款Blackwell芯片名為GB200,將于今年晚些時候上市。
SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%
同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠...
今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
1. 臺積電2nm 小規(guī)模試產(chǎn) ? 臺積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝,日本SMC社長高田芳樹近日表示,臺積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線上采用SMC的水...
三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達(dá)36
三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜(TC NCF)技術(shù),成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時代打造
2023年8月8日,NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計算機圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級...
美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:M...
在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達(dá)半年的性能評估。這一里...
HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 標(biāo)簽:存儲器人工智能數(shù)據(jù)處理 1358 0
近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HB...
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