在今天的英偉達GTC 2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

作為英偉達唯一HBM3供應商，SK海力士隨即發布新聞稿，宣布已開始量產高帶寬內存產品HBM3E，將從3月下旬起向客戶供貨。七個月前，該公司公布了HBM3E開發成功的消息。

據路透最新報道，消息人士稱首批出貨量將交付給英偉達。有分析師表示，SK海力士的HBM產能在2024年已被預訂滿，因為人工智能芯片的爆炸性需求推動了高端存儲芯片的需求。IBK Investment & Securities分析師Kim Un-ho表示：“SK海力士已經占據了絕對的市場地位……其高端存儲芯片的銷量增長預計也將是芯片制造商中最為積極的。”

HBM（高速寬帶存儲器）是面向AI的超高性能DRAM產品，也是當下存儲廠商的競爭焦點，該存儲器供應市場由SK海力士（53%）、三星（38%）和美光（9%）三大存儲巨頭主導。

通過垂直連接多個DRAM，HBM可顯著提升數據處理速度，實現小體積、高帶寬和高速傳輸，滿足高性能AI服務器GPU需求。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發。HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，為當下最強大的HBM產品。

在HBM最新產品的競逐賽中，SK海力士再次奪得先機，是首家實現量產HBM3E的供應商。SK海力士在聲明中表示：“公司預計HBM3E能夠成功量產，憑借作為業界首家HBM3供應商的經驗，我們希望鞏固我們在人工智能內存領域的領導地位。”

▌SK海力士推出的HBM3E芯片有何性能優勢？

據該公司介紹，SK海力士采用了先進的MR-MUF（Molding with Rubberand UFP）技術，使得HBM3E的散熱性能比上一代產品提高10%。這種技術通過在半導體芯片堆疊后的空間中注入液體形態的保護材料并進行固化，與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效；

其HBM3E的最高數據處理速度可達每秒1.18TB（太字節），這意味著它能夠在極短的時間內處理大量數據。相當于在1秒內處理230部全高清（FHD）級別的電影；

另外，其HBM3E提供高達8Gbps的傳輸速度，這是相較于前一代HBM3的顯著提升。這種高速度對于需要快速數據處理的應用場景，如高性能計算和人工智能，尤為重要。

值得注意的是，HBM3E領域，美光、三星緊追不舍，這兩家公司均表示已開始批量生產該款芯片。其中，美光計劃在2024年第二季度開始出貨，其HBM3E將用于英偉達的H200 Tensor Core GPU；三星已開發出業界首款12棧HBM3E芯片，并開始向客戶提供樣品，預計今年上半年量產。

審核編輯：劉清