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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強(qiáng)大成為 AI/ML 和其他高性能計(jì)算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認(rèn)為HBM3的擴(kuò)展版本就是HBM3E。

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hbm3e資訊

1.1TB HBM3e內(nèi)存！NVIDIA奉上全球第一GPU：可惜無緣中國

NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了...

2023-11-15 標(biāo)簽：NVIDIA gpu 堆疊 1340 0

AMD Instinct MI300新版將采用HBM3e內(nèi)存，競爭英偉達(dá)B100

AMD于去年宣布旗下兩款I(lǐng)nstinct MI300加速器，包括基于GPU的MI300X以及基于APU架構(gòu)的MI300A， both配備192GB/12...

2024-02-23 標(biāo)簽：amd cpu 加速器 1305 0

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過程復(fù)雜，預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間，因此業(yè)界預(yù)測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是，驗(yàn)證工作可能會在2...

2023-11-27 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 1277 0

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 1275 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAM NAND HBM 1268 0

英偉達(dá)大量訂購HBM3E內(nèi)存，搶占市場先機(jī)

英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。

2023-12-29 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存英偉達(dá) 1250 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E，向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備...

2023-08-22 標(biāo)簽：芯片 DRAM 英偉達(dá) 1229 0

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。

2023-08-22 標(biāo)簽：AI 超級芯片 SK海力士 1222 0

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達(dá)1280GB/s，容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲方...

2024-02-27 標(biāo)簽：三星電子 AI HBM 1221 0

SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達(dá)

近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation ...

2024-02-25 標(biāo)簽：存儲器英偉達(dá)SK海力士 1199 0

黃仁勛甩出最強(qiáng)生成式AI處理器，全球首發(fā)HBM3e，比H100還快

在隨后大約1小時(shí)20分鐘的演講中，黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計(jì)算和...

2023-08-09 標(biāo)簽：處理器 NVIDIA AI 1198 0

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，...

2023-08-21 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM 1195 0

SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM3E 1191 0

英偉達(dá)巨資預(yù)訂HBM3E，力拼上半年算力市場

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中，英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金...

2024-06-22 標(biāo)簽：美光 SK海力士 AI芯片 1185 0

美光宣布開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存功耗比競爭對手產(chǎn)品低30％

存儲三強(qiáng)的競爭更加激烈了。

2024-02-28 標(biāo)簽：DDR 美光 HBM 1179 0

美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...

2024-03-05 標(biāo)簽：gpu 美光科技內(nèi)存技術(shù) 1163 0

三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。...

2024-03-27 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星 HBM3 1150 0

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片英偉達(dá)HBM 1131 0

消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨(dú)特的“樓房設(shè)計(jì)”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計(jì)局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認(rèn)可。

2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存 HBM 三星 1131 0

GTC 2024：三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其...

2024-03-20 標(biāo)簽：加速器顯卡 HBM3 1128 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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