據報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

SK海力士生產主管Kwon Jae-soon表示：“我們已經成功地將HBM3E芯片量產所需的時間縮短50%，達到大約80%范圍的目標良率。”這標志著SK海力士首次公開披露HBM3E的生產信息。此前，業界預計SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之間。

SK海力士在HBM3E（第五代高帶寬存儲）的生產上取得了顯著進展，以下是關于其量產時間和良率提升的具體信息：

HBM的制造過程涉及在DRAM層間創建TSV（硅通孔）和多次的芯片鍵合，其復雜程度遠超過標準DRAM內存產品。一層DRAM出現問題就意味著整個HBM堆棧的報廢，這使得提高良率成為了一個重大的技術挑戰。SK海力士通過優化生產工藝和引入新的技術解決方案，成功提升了HBM3E的良率。

SK海力士今年的目標是專注于生產8層HBM3E。這一規格目前是客戶需求的核心，特別是在人工智能（AI）領域。SK海力士已于今年3月份開始供應8層HBM3E產品，并計劃在今年第三季度供應12層HBM3E產品。12層HBM4（第六代HBM）產品計劃于2025年推出，而16層版本預計將于2026年投入生產。

快速增長的人工智能市場推動了SK海力士下一代DRAM的快速開發。到2023年，主要用于人工智能應用的HBM和大容量DRAM模塊按價值計算將占整個存儲市場的5%左右。SK海力士預測，到2028年，這些AI存儲產品將占據61%的市場份額。