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4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票，由于市場對于SK海力士高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求激增，SK海力士的股價在過去一年暴增一倍以上。

無獨有偶，3月28日，在加州圣荷西舉行的全球芯片制造商聚會 Memcon 2024 上，三星公司執(zhí)行副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)主管 Hwang Sang-joong 表示，三星公司將增加 HBM 芯片產(chǎn)量，今年產(chǎn)量是去年的 2.9 倍。據(jù)悉三星電子的市場規(guī)模較大，市值超過3600億美元，是閃存技術(shù)的引領(lǐng)者，過去一年三星股價漲31%。

美國存儲大廠美光公司在 3 月 20 日舉行的公司第二財季法說會上指出，市場對其HBM的需求強勁。首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 預(yù)計，2024 財年HBM將創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。

近日，在CFMS閃存峰會上，三星電子、SK海力士、美光和西部數(shù)據(jù)四家公司展示最新用于手機、PC、AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的旗艦存儲產(chǎn)品，本文進(jìn)行匯總。

聚焦手機和數(shù)據(jù)中心，三星展示1TB UFS4.0和CXL新品

在閃存峰會上，三星電子執(zhí)行副總裁吳和錫表示，三星是閃存技術(shù)的引領(lǐng)者，三星在2023年推出第一款QLC UFS產(chǎn)品，目前已經(jīng)開始量產(chǎn)并成功商業(yè)化。在手機UFS技術(shù)發(fā)展推動上，三星目標(biāo)是盡快將UFS順序讀寫能力提高一倍。

現(xiàn)場展出的三星UFS4.0產(chǎn)品，UFS4.0為每通道提供高達(dá)23.2Gbps的帶寬，是UFS3.1的兩倍，使其“非常適合需要大量數(shù)據(jù)處理的5G 智能手機”。三星展示的移動存儲UFS4.0容量高達(dá)1TB，這款產(chǎn)品采用三星第8代V-NAND技術(shù)實現(xiàn)高達(dá)4,200 MB/s的順序讀取速度和高達(dá)2,800MB/s的順序?qū)懭胨俣龋@著高于UFS3.1的讀寫速度和寫入速度。這款產(chǎn)品在小型化方面也有創(chuàng)新，較上一代V7減少了高達(dá)26%的封裝體積，配合5G手機需求。

據(jù)悉，目前UFS4.0產(chǎn)品最大順序讀取性能為4GB/s，要成長一倍到8GB/s要到UFS5.0才可以實現(xiàn)。為了順應(yīng)LLM大語言模型的應(yīng)用，三星目前正在開發(fā)更高帶寬的UFS4.0產(chǎn)品，計劃2025年大規(guī)模量產(chǎn)4通道UFS產(chǎn)品。三星的產(chǎn)品路線圖上顯示，2027年三星UFS5.0計劃量產(chǎn)上市。

面向數(shù)據(jù)中心，三星去年推出了PM9D3a系列的SSD產(chǎn)品，這是一款適用于大型數(shù)據(jù)中心級的8通道PCle 5.0固態(tài)硬盤。8TB SSD可以達(dá)到每TB 50K IOPS性能，性能和效率比上一代提高1.6倍。三星還提到，F(xiàn)DP時代來臨，數(shù)據(jù)放置技術(shù)延長設(shè)備使用壽命，主要分為OC-SSD和ZNS等技術(shù)，設(shè)備到主機通過接收提示來控制數(shù)據(jù)的FDP技術(shù)出現(xiàn)。

三星還展出了CXL Memory Module Hybrid，作為基于CXL2.0接口的存儲產(chǎn)品，結(jié)合了NAND和DRAM技術(shù)，幫助AI和ML系統(tǒng)在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)集時，實現(xiàn)高效的處理速度和有效的數(shù)據(jù)訪問。這款產(chǎn)品容量最高可達(dá)256GB，支持內(nèi)存池化、熱插拔，通過了CXL1.1合規(guī)性測試的所有項目。

SK海力士推出企業(yè)級PCLe Gen5 SSD，美光HBM3E產(chǎn)品送樣

SK海力士執(zhí)行副總裁兼NAND解決方案開發(fā)部負(fù)責(zé)人安炫表示：“在多模態(tài)AI時代，數(shù)據(jù)來自于手機、筆記本電腦、傳感器和服務(wù)器，這些數(shù)據(jù)都在云端匯集，創(chuàng)造了獨特的存儲需求，比方說手機存儲必須要更快，雖然功耗很低，但需要處理復(fù)雜的數(shù)據(jù)集。數(shù)據(jù)中心需要大容量和高效的存儲。數(shù)據(jù)的復(fù)雜性使得高性能與大容量存儲成為必然趨勢。”

以H-TPU為核心，SK海力士推出了企業(yè)級和消費級類的PCle Gen5 SSD。H-TPU架構(gòu)，是一種特定領(lǐng)域的微處理器，其大小相當(dāng)于ARM R8核心的1/25。基于H-TPU架構(gòu)，SK海力士推出了PS1010和PS1030兩款企業(yè)級的PCle Gen5 SSD。

這兩款16通道的硬盤驅(qū)動器，與行業(yè)平均水平相比，順序性能提高了50%，隨機性能提升了30%，熱性能提高了13%。目前，這兩款產(chǎn)品已經(jīng)完成了第一批客戶驗證，現(xiàn)在準(zhǔn)備批量發(fā)貨。

HBM是一種新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，全稱為High Bandwidth Memory，即高帶寬存儲器，專門用于高性能計算和圖形處理領(lǐng)域，具有高帶寬、低延遲和低功耗等特點，被廣泛應(yīng)用于高性能計算（HPC）、人工智能（AI）等領(lǐng)域。

目前，HBM市場競爭主要集中在SK海力士、三星及美光三大原廠。Trendforce集邦咨詢預(yù)計，2023年三大廠商在HBM領(lǐng)域的市占率分別為53%、38%、9%。今年3月19日，SK海力士宣布其超高性能AI存儲器HBM3E開始向客戶供貨；三星則預(yù)計將于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)12層堆疊HBM3E DRAM，目前已開始向客戶提供樣品。

美光企業(yè)副總裁暨存儲事業(yè)部總經(jīng)理 Jeremy Werner表示，隨著AI技術(shù)的飛速發(fā)展和應(yīng)用場景的不斷拓展，大規(guī)模的AI模型對算力的需求與日俱增。美光已經(jīng)量產(chǎn)了HBM3E產(chǎn)品，目前正在送樣階段。12層堆棧的HBM3E產(chǎn)品容量可以達(dá)到36GB，性能方面，美光HBM3E的引腳速度超過9.2Gb/s，可以提供超過1.2TB/s的內(nèi)存帶寬，每瓦性能提升2.5倍。

圍繞AI PC、數(shù)據(jù)中心和汽車，西部數(shù)據(jù)推出三大旗艦產(chǎn)品

西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳表示：“當(dāng)下人工智能、機器學(xué)習(xí)以及自動駕駛等大量數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場景正高速發(fā)展。這意味著創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)在推動更高性能、更低時延的存儲解決方案方面將扮演更為重要的角色。”

西部數(shù)據(jù)的展臺有三大類產(chǎn)品展示為主。一類是嵌入式閃存驅(qū)動器，西部數(shù)據(jù)展示了iNAND AT EU552 UFS3.1解決方案, 它是針對自動駕駛和網(wǎng)聯(lián)汽車推出車規(guī)級UFS 3.1存儲解決方案。這款產(chǎn)品的優(yōu)勢在于采用了112層的3D NAND技術(shù)，順序讀取速度高達(dá)1,600MB/s，順序?qū)懭胨俣雀哌_(dá)1,200MB/s，適用于eCockpit, ADAS與自動駕駛解決方案。憑借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存驅(qū)動器，西部數(shù)據(jù)成為了首批通過 ASPICE CL3（等級3）的數(shù)據(jù)存儲解決方案提供商。

第二類是聚焦在PC領(lǐng)域。針對商用PC OEM廠商，西部數(shù)據(jù)推出了順序讀取速度高達(dá)6,000MB/s的 PC SN5000S NVMe SSD。這款搭載了高性能QLC（四級單元）的西部數(shù)據(jù)PC SN5000S NVMe SSD，為 PC OEM 廠商提供了創(chuàng)新的PCIe Gen4x4 存儲解決方案，幫助用戶輕松應(yīng)對繁重的工作負(fù)載。

第三類是應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD。隨著新型應(yīng)用、用例和網(wǎng)聯(lián)設(shè)備的與日俱增，數(shù)據(jù)中心客戶對于構(gòu)建更具成本效益、可擴展性和可持續(xù)性的基礎(chǔ)架構(gòu)的需求日益增加。現(xiàn)場工作人員表示，西部數(shù)據(jù)Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性價比和低功耗垂直集成的SSD，容量可從3.84TB擴展到15.36TB，可滿足存儲和混合工作負(fù)載計算應(yīng)用的要求，這款產(chǎn)品還提供了簡單且可擴展的單端口或雙端口路徑，確保滿足企業(yè)高可用性要求下的持續(xù)數(shù)據(jù)訪問。

小結(jié)

隨著大模型的快速爆發(fā)，加速了對AI服務(wù)器需求，AI服務(wù)器中搭載高容量HBM，以及對DDR5的容量需求是普通服務(wù)器的2-4倍。目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流。此外，在服務(wù)器領(lǐng)域，為滿足更高容量、更好性能的應(yīng)用需求，2024年server PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長。汽車也成為存儲的潛力增長市場，這些都是存儲廠商細(xì)分市場的增長亮點。

三星、SK海力士、美光和西部數(shù)據(jù)在這些細(xì)分市場推出的新品，將要接受中國客戶和全球客戶的檢驗，2024年存儲市場有怎樣的增長，終端、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心市場將牽引存儲需求發(fā)生哪些變化，我們將繼續(xù)跟進(jìn)報道。

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