一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...

2023-06-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1841 0

基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理

一些光柵結(jié)構(gòu)也實(shí)現(xiàn)了向二維方向的拓展，使TE、TM兩個(gè)極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。

2023-12-28 標(biāo)簽：mems發(fā)射器氣體傳感器 1839 0

基于GD32F303的高頻DC/DC變換器解決方案

車載充電器（OBC）是電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。

2023-08-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車變換器DC-DC 1789 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長(zhǎng)

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應(yīng)用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢(shì)。GaN還是高能效...

2021-04-04 標(biāo)簽：ledSiC氮化鎵 1781 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...

2022-07-26 標(biāo)簽：FETGaN電源系統(tǒng) 1777 0

基于氮化鎵逆變器建模損耗的原因及考慮因素

本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動(dòng)力學(xué)、殼...

2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1747 0

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標(biāo)上的比較

硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標(biāo)簽：微處理器晶體管氮化鎵 1745 0

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC氮化鎵 1731 0

利用SiC和GaN實(shí)現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化

　最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請(qǐng)了安川電機(jī)，針對(duì)采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...

2013-09-22 標(biāo)簽：SiCGaNAC-AC轉(zhuǎn)換器 1720 0

下一代射頻芯片工藝路在何方？

年復(fù)一年，越來(lái)越多的用戶通過(guò)無(wú)線方式傳輸越來(lái)越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來(lái)...

2023-08-14 標(biāo)簽：CMOS功率放大器發(fā)射器 1696 0

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1690 0