氮化鎵工藝技術是什么意思？

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。

氮化鎵被譽為最新一代的半導體材料，發展和應用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場強高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導率高2倍。這些性能提升帶來的一些優勢就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時體積還更小，功率密度還更大。

什么是氮化鎵技術

1、氮化鎵技術是指一種寬能隙半導體材料；

2、相較于傳統的硅基半導體，氮化鎵能夠提供顯著的優勢來支援功率應用

3、采用氮化鎵技術也容許更多精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀；

氮化鎵技術可提供什么：

1、氮化鎵技術可提供高效節能；

2、精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀；

GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

氮化鎵被譽為最新一代的半導體材料，發展和應用的潛力巨大。氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍，擊穿場強高10倍，飽和電子遷移速度大3倍，熱導率高2倍。這些性能提升帶來的一些優勢就是氮化鎵比硅更適合做大功率高頻的功率器件，同時體積還更小，功率密度還更大。

一個更加直觀的例子是，假如所有電器都換成氮化鎵材質，整體用電量將會減少20%。

根據半導體行業發展，半導體材料也經歷了三代：

第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。目前市場上還是以硅材料占據絕大部分比例。

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等。

第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶（Eg》2.3eV）半導體材料。

第三代半導體中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是核心。前者目前應用更廣泛，后者被寄予厚望。

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