BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個(gè)芯片上的高級(jí)制造工藝。
2024-03-18 09:47:41
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英特爾為英特爾代工廠（Intel Foundry）的首次亮相舉行了名為Intel Direct Connect的開幕活動(dòng)，英特爾在活動(dòng)中全面討論了其進(jìn)入下一個(gè)十年的工藝技術(shù)路線圖，包括其14A前沿節(jié)點(diǎn)。
2024-03-15 14:55:09249 德州儀器（TI）近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性的技術(shù)進(jìn)展，無(wú)疑將推動(dòng)汽車和工業(yè)系統(tǒng)等領(lǐng)域的技術(shù)革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:13107 交給代工廠來(lái)開發(fā)和交付。臺(tái)積電是這一階段的關(guān)鍵先驅(qū)。
半導(dǎo)體的第四個(gè)時(shí)代——開放式創(chuàng)新平臺(tái)
仔細(xì)觀察，我們即將回到原點(diǎn)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷成熟，工藝復(fù)雜性和設(shè)計(jì)復(fù)雜性開始呈爆炸式增長(zhǎng)。工藝技術(shù)
2024-03-13 16:52:37
Ansys的多物理場(chǎng)簽核解決方案已經(jīng)成功獲得英特爾代工（Intel Foundry）的認(rèn)證，這一認(rèn)證使得Ansys能夠支持對(duì)采用英特爾18A工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的先進(jìn)集成電路（IC）進(jìn)行簽核驗(yàn)證。18A工藝技術(shù)集成了新型RibbonFET晶體管技術(shù)和背面供電技術(shù)，代表了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破。
2024-03-11 11:25:41254 是德科技與Intel Foundry的這次合作，無(wú)疑在半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。雙方成功驗(yàn)證了支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件，為設(shè)計(jì)工程師們提供了更加先進(jìn)和高效的設(shè)計(jì)工具。
2024-03-08 10:30:37274 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43103 
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商德州儀器（TI）近日宣布推出兩個(gè)全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，旨在幫助工程師在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，同時(shí)降低成本，提升功率密度。這一創(chuàng)新性的技術(shù)突破，無(wú)疑將為汽車和工業(yè)系統(tǒng)等領(lǐng)域的設(shè)計(jì)帶來(lái)革命性的變革。
2024-03-07 11:21:02343 ，加拿大和墨西哥設(shè)立了超過(guò)40處分部。Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要
2024-03-06 16:51:58
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對(duì)SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47103 
Cadence近日宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過(guò)認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作，并提
2024-02-27 14:02:18159 三星與高通的合作正在不斷深化。高通計(jì)劃采納三星代工工廠的尖端全柵極（GAA）工藝技術(shù)，以優(yōu)化和開發(fā)下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:18299 密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28170 
英特爾公司近日宣布，將推出全新的系統(tǒng)級(jí)代工服務(wù)——英特爾代工（Intel Foundry），以滿足AI時(shí)代對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)的需求。這一舉措標(biāo)志著英特爾在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的戰(zhàn)略擴(kuò)張，并為其客戶提供了更廣泛的制程選擇。
2024-02-23 18:23:321028 功率器件，是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備，京瓷集團(tuán)一直向市場(chǎng)提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。
2024-02-23 09:17:01263 
三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來(lái)首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供電電壓，增強(qiáng)功率效率，同時(shí)也能增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的性能表現(xiàn)。
2024-02-22 09:36:01121 是把技術(shù)吃透以后把以前的技術(shù)共用和拓展，或者組合，公司能夠不斷推出新產(chǎn)品，進(jìn)軍新的市場(chǎng)。這是技術(shù)為產(chǎn)品服務(wù)，產(chǎn)品的良好銷售使公司獲得好的利潤(rùn)，再投入到技術(shù)研發(fā)中形成良性循環(huán)。品牌是薩科微/金航標(biāo)發(fā)展
2024-01-31 11:38:47
近期，中國(guó)大陸的晶圓代工廠采取了降低流片價(jià)格的策略，旨在吸引更多客戶。這一策略的實(shí)施可能導(dǎo)致一些客戶考慮取消訂單，并考慮轉(zhuǎn)向中國(guó)大陸的晶圓代工廠。
2024-01-25 16:37:072004 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過(guò)電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 臺(tái)積電在規(guī)劃其3nm工藝技術(shù)時(shí)，推出了五種不同的節(jié)點(diǎn)，包括N3B、N3E、N3P、N3S和N3X。其中，N3B是首個(gè)3nm節(jié)點(diǎn)，并已投入量產(chǎn)。
2024-01-08 18:04:57659 V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來(lái)。
2023-12-29 12:30:49362 
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴(kuò)散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測(cè)試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計(jì) PECVD 路線有望成為未來(lái)新方向。
2023-12-26 14:59:112688 
中國(guó)&全球領(lǐng)先的MEMS芯片代工企業(yè)賽微電子12月24日晚公告，全資子公司瑞典Silex獲得客戶光鏈路交換器件（OCS）批量采購(gòu)訂單，意味著MEMS-OCS啟動(dòng)商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)。 據(jù)相關(guān)媒體透露
2023-12-26 08:36:02225 
歡迎了解 聶洪林 陳佳榮 任萬(wàn)春 郭林 蔡少峰 李科 陳鳳甫 蒲俊德 （西南科技大學(xué) 四川立泰電子有限公司） 摘要： 探究了引線鍵合工藝的重要參數(shù)對(duì)功率器件鍵合可靠性的影響機(jī)制，進(jìn)而優(yōu)化超聲引線鍵合
2023-12-25 08:42:15197 
，但其未來(lái)應(yīng)用前景廣闊，具有很高的實(shí)用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件，碳化硅具有更高的能帶寬度和較大的熱導(dǎo)率，這意味著在高溫或高電壓應(yīng)用中具有
2023-12-21 11:27:09285 1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 每一個(gè)功率器件都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片，合適的驅(qū)動(dòng)芯片總能帶來(lái)事半功倍的效果，為客戶提供全面、高效的產(chǎn)品和解決方案
2023-12-04 09:15:04154 
在“通孔插裝軸向元器件引線在印制電路板焊盤上的搭接焊接工藝技術(shù)要求”一節(jié)里，詳細(xì)介紹了搭接焊接的前提，元器件引線搭接焊接成形要求，不同形狀引線的搭接要求，通孔插裝元器件穿孔搭接焊接要求和插裝元器件貼裝焊接缺陷案例。
2023-12-02 10:48:431567 
專為電信應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。CHA6653-98F選用PHEMT工藝技術(shù)，柵極尺寸為0.15um。主要特征寬帶性能：27-34GHZ32dbm飽和功率38dbmOIP323db增益值直流電偏置電壓：Vd=6伏ldq=0.9A封裝尺寸3.61x3.46x0.07mm
2023-11-27 14:46:32
高壓功率器件的開關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
2023-11-24 16:09:22534 
模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工藝，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。
2023-11-21 17:03:00385 當(dāng)年蘋果推出第一代iPhone后，iPhone芯片一直是由三星代工，但2016年iPhone 7開始三星卻被臺(tái)積電取代，由臺(tái)積電擔(dān)任獨(dú)家代工廠。這些年來(lái)三星晶圓代工事業(yè)的4納米制程無(wú)論在芯片效能及良率上都落后臺(tái)積電一大截，導(dǎo)致許多大客戶都投向臺(tái)積電懷抱。
2023-11-20 17:06:15680 保護(hù)機(jī)制包括每周期的峰值限流、軟啟動(dòng)、過(guò)壓保護(hù)和溫度保護(hù)。YB2503HV需要非常少的常規(guī)外圍器件。采用簡(jiǎn)單通用的8腳的ESOP8封裝.獨(dú)特的軟開關(guān)ZVS技術(shù)，讓異步的芯片效率高達(dá)93%效率 步芯片外圍
2023-11-04 10:49:40
英特爾和臺(tái)積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2（2 納米級(jí)）工藝技術(shù)。當(dāng)這些公司推出基于納米片的節(jié)點(diǎn)時(shí)，三星將在環(huán)柵晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，這可能對(duì)代工廠有利。
2023-11-02 09:25:2587 
2025 年，三星預(yù)計(jì)將推出 SF2（2nm 級(jí)）制造工藝，該工藝不僅依賴 GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來(lái)了巨大的好處，
2023-11-01 12:34:14222 
BCD工藝是1986年由ST首次推出的一種單晶片集成工藝技術(shù)，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，它的出現(xiàn)大大地減小了芯片的面積。
2023-10-31 16:08:22641 
摘要：萊迪思(Lattice )半導(dǎo)體公司在這應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)推出兩款低成本帶有SERDES的 FPGA器件系列基礎(chǔ)上，日前又推出采用富士通公司先進(jìn)的低功耗工藝，目前業(yè)界首款最低功耗與價(jià)格并擁有SERDES 功能的FPGA器件――中檔的、采用65nm工藝技術(shù)的 LatticeECP3系列。
2023-10-27 16:54:24234 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22372 
1. 三星透露：已和大客戶接洽2nm 、1.4nm 代工服務(wù) ? 三星旗下晶圓代工部門Samsung Foundry首席技術(shù)官Jeong Ki-tae 近日透露，三星盡管成功量產(chǎn)3nm GAA工藝
2023-10-27 11:14:21748 
新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，面向臺(tái)積公司N5A工藝推出業(yè)界領(lǐng)先的廣泛車規(guī)級(jí)接口IP和基礎(chǔ)IP產(chǎn)品組合，攜手臺(tái)積公司推動(dòng)下一代“軟件定義汽車”發(fā)展，滿足汽車系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的長(zhǎng)期可靠性和高性能計(jì)算需求。
2023-10-24 17:24:56505 新思科技接口和基礎(chǔ) IP 組合已獲多家全球領(lǐng)先企業(yè)采用，可為 ADAS 系統(tǒng)級(jí)芯片提供高可靠性保障 摘要： 面向臺(tái)積公司N5A工藝的新思科技IP產(chǎn)品在汽車溫度等級(jí)2級(jí)下符合 AEC-Q100 認(rèn)證
2023-10-23 15:54:07690 光板工藝測(cè)試技術(shù)是電路板抄板改板過(guò)程中常用到的一種制板工藝技術(shù)，目的是為了能確保成品電路板的品質(zhì)。以下我們提供完整的光板工藝測(cè)試指導(dǎo)手冊(cè)供的大家參考。
2023-10-18 15:05:10174 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
科技
成立時(shí)間：2006年
業(yè)務(wù)模式：IDM
簡(jiǎn)介：產(chǎn)品線涵蓋分立器件芯片、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)、MOSFET、功率模塊、碳化硅等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。于2018年3月控股一條宜興 6 英寸
2023-10-16 11:00:14
)，均通過(guò)HV-H3TRB可靠性試驗(yàn)，在客戶應(yīng)用工況下有著極高的效率。 電路拓?fù)洌篘PC-I MMG400CF065PD6T5C 0 1 產(chǎn)品特點(diǎn) 采用焊接PIN的GCF封裝（兼容Easy3B
2023-10-12 19:25:01489 
傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無(wú)鉛焊接合金把器件的一個(gè)端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅(jiān)固性。
2023-10-09 15:20:58299 
在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
長(zhǎng)電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測(cè)試。
2023-10-07 17:41:32398 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝
2023-09-24 10:42:40391 
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342680 
采用華虹128通道同測(cè)技術(shù)
04取得嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術(shù)License授權(quán)
05多種小型化的封裝類型等行業(yè)中，其中WLCSP封裝面積僅為665umx676um ,廣泛用于消費(fèi)、工業(yè)、通訊、醫(yī)療
2023-09-15 08:22:26
工藝平臺(tái)涵蓋超高壓、車載、先進(jìn)工業(yè)控制和消費(fèi)類功率器件及模組，以及車載、工業(yè)、消費(fèi)類傳感器，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋智能電網(wǎng)、新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏儲(chǔ)能、消費(fèi)電子、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、家用電器等行業(yè)。
2023-09-14 09:40:031047 
語(yǔ)音芯片和解決方案。累計(jì)服務(wù)B端客戶5000+家，積累了豐富的芯片應(yīng)用、技術(shù)支持、大批量生產(chǎn)工藝調(diào)試和品質(zhì)保證等經(jīng)驗(yàn)。
接下來(lái)，小編簡(jiǎn)短介紹啟英泰倫是如何全方位支持客戶項(xiàng)目，保障客戶高效完成語(yǔ)音產(chǎn)品
2023-09-07 10:24:13
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521082 
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環(huán)節(jié)，封裝材料、工藝和結(jié)構(gòu)直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。
2023-08-24 11:31:341049 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:03
3 碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701 
ISO26262 ASIL-D 的車用電池系統(tǒng)。
系統(tǒng)示意圖
關(guān)于以上新唐產(chǎn)品，客戶可直接通過(guò)華秋商城采購(gòu)！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造價(jià)值，向客戶提供圍繞“品牌選型
2023-08-11 14:20:51
控制和服務(wù)器市場(chǎng)。EF4 器件采用 55nm 低功耗工藝，最多支持 279 個(gè)用戶 I/O，滿足客戶板級(jí) IO 擴(kuò)展應(yīng)用需求和器件的可靠性和性能要求。安路科技提供豐富的設(shè)計(jì)工具幫助用戶有效地利用 EF4 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計(jì)。業(yè)界領(lǐng)先的綜合和布局布線工具，為用戶設(shè)計(jì)高質(zhì)量產(chǎn)品提供有力保障。
2023-08-09 06:01:19
電動(dòng)機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動(dòng)機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來(lái)看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
2023-08-01 10:35:46294 
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對(duì)半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來(lái)越高。
2023-08-01 10:01:561634 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于電機(jī)控制應(yīng)用的高性能功率器件技術(shù)和產(chǎn)品.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 16:30:260 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高性能電源管理的寬功率器件技術(shù)和產(chǎn)品解決方案.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-31 16:16:101 森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
季豐電子面向客戶提供完整的半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試、驗(yàn)證和咨詢服務(wù)，可有效縮短制造工藝和器件開發(fā)的時(shí)間，加速客戶產(chǎn)品投入市場(chǎng)的進(jìn)程周期。 ? 工藝可靠性業(yè)務(wù)主要基于行業(yè)通用及客戶定制標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品、工藝特點(diǎn)
2023-07-23 11:16:121376 
電動(dòng)機(jī)的技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)在很大程度上與其制造材料、制造工藝有關(guān)。在電動(dòng)機(jī)制造廠中，同樣的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，同一批原材料所制成的產(chǎn)品，其質(zhì)量往往相差甚大。沒有先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，很難生產(chǎn)出先進(jìn)的產(chǎn)品。今天我們來(lái)看看電機(jī)制造中的那些關(guān)鍵工藝。
2023-07-21 17:19:25694 
來(lái)源：ACT半導(dǎo)體芯科技 隨著我國(guó)集成電路國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的加深、下游應(yīng)用領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展以及國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)龍頭企業(yè)工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，先進(jìn)封測(cè)行業(yè)市場(chǎng)空間將進(jìn)一步擴(kuò)大。而能否實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，是先進(jìn)
2023-07-17 20:04:55320 
根據(jù)synopsys、cadence digital、siemens和ansys的新聞稿，這些公司目前擁有適用于ifs的intel 16的多種工具。這些工具的設(shè)計(jì)符合各種客戶應(yīng)用程序，包括無(wú)線頻率和模擬功能（wi-fi， bluetoose）、毫米波、家電、內(nèi)存、軍事、航空和政府應(yīng)用程序。
2023-07-14 10:45:34257 在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點(diǎn)，在消費(fèi)類電子、數(shù)據(jù)中心和汽車等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
2023-06-29 14:48:15753 半導(dǎo)體制造支持。我們的全方位代工服務(wù)，為汽車、醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用提供多種經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。 工藝路線圖 艾邁斯歐司朗通過(guò)廣泛的專業(yè)工藝，展示自己在模擬和混合信號(hào)晶圓制造行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。特殊工藝
2023-06-27 12:30:02306 
InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有顯著的形變和碎裂的風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)，InP 基化合物半導(dǎo)體光電子器件芯片大部分采用雙面工藝，在晶圓的雙面進(jìn)行半導(dǎo)體工藝。
2023-06-27 11:29:327380 
小間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無(wú)縫拼接、良好的散熱系統(tǒng)、拆裝方便靈活等特點(diǎn)已經(jīng)被廣大的行業(yè)用戶熟知，但是，再進(jìn)一步，說(shuō)到小間距LED屏具體的工藝技術(shù)，普通大眾則很少知曉，“只知其一不知其二”，專業(yè)知識(shí)的匱乏，直接導(dǎo)致了選購(gòu)盲點(diǎn)的出現(xiàn)。
2023-06-14 15:48:43345 
中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
。此外，提前布局功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，開展對(duì)SiC等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研究探索，提升公司核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
上海貝嶺功率器件產(chǎn)品
廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買上海貝嶺系列產(chǎn)品！作為本土“元器件電商
2023-06-09 14:52:24
印制電路板是電子產(chǎn)品的關(guān)鍵電子互聯(lián)件，被譽(yù)為“電子產(chǎn)品之母”。隨著電子產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)應(yīng)用更快發(fā)展、迭代、融合，PCB作為承載電子元器件并連接電路的橋梁，為滿足電子信息領(lǐng)域的新技術(shù)、新應(yīng)用的需求，行業(yè)將
2023-06-09 14:08:34
功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個(gè)基板上集成有一個(gè)或多個(gè)開關(guān)元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述開關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31287 UMW)，隸屬于友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司，于2013 年成立于香港，總部和銷售中心坐落于廣東深圳，是一家集成電路及分立器件芯片研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝制造、產(chǎn)品銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品一直堅(jiān)持定位高端品質(zhì)，在國(guó)內(nèi)外
2023-05-26 14:24:29
、智能家居等領(lǐng)域，但是不同領(lǐng)域應(yīng)用的功率器件特點(diǎn)迥異，需要根據(jù)相應(yīng)需求和產(chǎn)品特性選擇合適的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，以提升器件性能和可靠性，降低成本，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。 據(jù)芯謀研究不久前發(fā)布的報(bào)告顯示，2022年全球功率分立器件
2023-05-25 17:16:42357 電子電路表面組裝技術(shù)（SMT：Surface Mount Technology）是現(xiàn)代電子產(chǎn)品先進(jìn)制造 技術(shù)的重要組成部分。
2023-05-25 09:48:121121 年 3 月,注冊(cè)資本 50.76 億元人民幣，總部位于浙江紹興，是一家專注于功率、傳感和射頻前端的晶圓代工企業(yè)，為客戶提供一站式芯片及模組代工制造服務(wù)。 2018 年 5月公司開始建設(shè)8英寸特色工藝集成電路制造生產(chǎn)線和一條模組封裝測(cè)試生產(chǎn)線， 于 2019 年 12 月開始量產(chǎn)。 公司無(wú)
2023-05-25 08:38:40942 
新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無(wú)金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 
在半導(dǎo)體晶圓代工行業(yè)內(nèi)，特色工藝是指以拓展摩爾定律為指導(dǎo)，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸（以下簡(jiǎn)稱“線寬”），通過(guò)聚焦新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件的研發(fā)創(chuàng)新與運(yùn)用，并強(qiáng)調(diào)特色I(xiàn)P定制能力和技術(shù)品類多元性的半導(dǎo)體晶圓制造工藝。
2023-05-17 15:49:56245 
隨著半導(dǎo)體封裝尺寸日益變小，普遍應(yīng)用于大功率器件上的粗鋁線鍵合技術(shù)不再是可行的選擇。
2023-05-08 11:35:12417 
，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開發(fā)，旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 目前，F(xiàn)C-BGA 都是在C4 的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，再進(jìn)行封裝與工藝技術(shù)的設(shè)計(jì)與研發(fā)的。
2023-04-28 15:09:20755 
4月26日，長(zhǎng)電科技舉辦2023年第二期線上技術(shù)論壇，主題聚焦功率器件封裝及應(yīng)用，與業(yè)界交流長(zhǎng)電科技在這一領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)與創(chuàng)新。
2023-04-27 09:20:01638 使其更容易受到損壞。即使焊點(diǎn)堅(jiān)固， 但也容易受到損傷。在組裝過(guò)程從一道工序轉(zhuǎn)移到另一道工序，PCB 板的柔軟性也會(huì)對(duì)焊點(diǎn)施加應(yīng)力。PCB 布局設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)將 BGA 器件的貼裝位置偏離 PCB 邊沿與高應(yīng)力區(qū)域。
原作者：叢 飛 現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝技術(shù)交流平臺(tái)
2023-04-25 18:13:15
設(shè)計(jì)技術(shù)，和將IC、MOS、電阻電容、二極管等多個(gè)不同功能的主被動(dòng)芯片整合成系統(tǒng)的先進(jìn)封裝技術(shù)等。廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買晶導(dǎo)微系列產(chǎn)品！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子
2023-04-14 16:00:28
設(shè)計(jì)技術(shù)，和將IC、MOS、電阻電容、二極管等多個(gè)不同功能的主被動(dòng)芯片整合成系統(tǒng)的先進(jìn)封裝技術(shù)等。廣大客戶現(xiàn)可通過(guò)華秋商城購(gòu)買晶導(dǎo)微系列產(chǎn)品！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子
2023-04-14 13:46:39
； 八、組合檢測(cè)工藝方案 1、每種檢測(cè)技術(shù)都有各自的長(zhǎng)處和短處。 選擇合適的組合檢測(cè)方案是對(duì)時(shí)間－市場(chǎng)，時(shí)間－產(chǎn)量以及時(shí)間－利潤(rùn)等諸多因素的綜合考慮，在產(chǎn)品的不同生產(chǎn)周期要求有不同的檢測(cè)工藝方案
2023-04-07 14:41:37
DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195 中芯集成是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓代工企業(yè)，主要從事MEMS和功率器件等領(lǐng)域的晶圓代工及模組封測(cè)業(yè)務(wù)，為客戶提供一站式系統(tǒng)代工解決方案；而且中芯集成也是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以提供車規(guī)級(jí)IGBT芯片的晶圓代工
2023-04-06 11:29:281557 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工藝技術(shù)的頁(yè)面閃存
2023-03-25 03:30:11
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