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氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領域有著廣泛...
GaN 作為第三代半導體材料,具有更高的自發極化系數及更大的壓電系數,能承受更高的功率密度,適用于高頻、高溫大功率電子器件。但隨著功率器件向小型化和大功...
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,...
GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來越寬、 功率越來越高
摘要 電信行業不斷需要更高的數據速率,工業系統不斷需要更高的分辨率,這助推了滿足這些需求的電子設備工作頻率的不斷上升。許多系統可以在較寬的頻譜中工作,新...
基于多孔氮化鎵(GaN)半導體材料的方法,研究人員已經開發出藍光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長和VCSEL陣列的量產。
氮化鎵是半導體與微電子產業的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵(GaN)半導體器件產品將統治微波放大...
氮化鎵是一種無機化合物,化學式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質,使其在科學研究和工業應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是...
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓撲快充產品上的應用
型號LP8843DCD提供一個耐壓高達200V的VccH管腳,以及一個耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式,以節約高壓輸...
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