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      標簽　>　gan

      gan

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      gan技術

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      2023-02-14 標簽：微波GaNHEMT 1679 0

      Si/SiC和GaN HEMT器件的結構比較！

      碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統和子系統組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現...

      2023-02-24 標簽：晶體管SiCGaN 1675 0

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      GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

      2023-09-14 標簽：射頻無線電氮化鎵 1666 0

      利用GaN的帶寬和功率密度優勢對抗RCIED

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      2023-05-24 標簽：功率放大器RFGaN 1665 0

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      650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有...

      2022-08-05 標簽：MOSFET整流器GaN 1663 0

      65W高性能磁耦通訊GaN快充方案

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      隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規MOS，相關中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創新，推出了集成GaN磁耦...

      2023-05-08 標簽：驅動器充電器寄存器 1657 0

      SL27517到底是如何應用的？

      UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應穩定和可靠的設備，被廣泛應用在計算機、通訊和工業等領域。

      2023-04-18 標簽：MOSFET驅動器UPS 1656 0

      多孔GaN的結構和光學特性

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      摘要 本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結構和光學性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒...

      2022-04-27 標簽：光學GaN 1639 0

      數明半導體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅動器介紹

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      2023-03-10 標簽：led氮化鎵GaN 1611 0

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      2024-08-15 標簽：晶體管氮化鎵GaN 1601 0

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      DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是Ga...

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