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詳解GaN和SiC器件測試的理想探頭

美國力科TeledyneLeCroy ? 來源:美國力科TeledyneLeCroy ? 作者:TeledyneLecroy ? 2022-11-03 17:47 ? 次閱讀
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DL-ISO高壓光隔離探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。

GaN 和 SiC 測試的理想探頭

1GHz帶寬的DL-ISO高壓光學隔離探頭是表征氮化鎵(GaN)FET/MOSFET和碳化硅(SiC)IGBT以及其他寬禁帶(WBG)功率半導體器件的理想選擇。

它具有高共模抑制比,這使得它非常適合于上管的浮地柵極驅動測量,包括觀察米勒效應。

靈活的探頭前端

Teledyne LeCroy DL-ISO探頭前端非常靈活,可以彎曲到狹窄的空間,連接簡單。

在確定是要測量開關損耗、傳導損耗,還是只想利用高共模抑制比進行上管柵極驅動或柵極源極測量時,選擇正確的探針前端非常重要。





審核編輯:劉清

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原文標題:探頭選擇 | 視頻詳解DL-ISO高壓光隔離探頭

文章出處:【微信號:美國力科TeledyneLeCroy,微信公眾號:美國力科TeledyneLeCroy】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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