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GaN(氮化鎵)晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而,它們在材料...
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導率等特點,寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
生成模型近年來發展迅猛,已經表現出極強的真實感合成能力,在三維重建、AI繪畫、音視頻創作、可控圖像生成、真實圖像編輯等領域的應用廣泛。
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
本期,芯朋微技術團隊為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環路穩定性、高功...
成果展示:具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管
為實現具有高擊穿電壓和優異正向特性的第三代半導體功率器件,天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊依托先進的半導體TCAD仿真平臺,優化設計了一種具有p-NiO...
作為“二十世紀最重要的新四大發明”之一,半導體的重要性不言而喻。從電子產品到航空航天,從人工智能到生物醫學,半導體無處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
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