航空航天領域中的GaN功率器件（上）

在中國深空探索及載人航天任務逐漸增多的背景下，對電能的需求也隨之上升，從而推動了對宇航電源的高效率與小型化的設計需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟，既要為...

2024-01-04 標簽：電源GaN航空 2032 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復...

2024-04-18 標簽：氮化鎵GaNHEMT 2024 0

GaN和SiC晶體管的區(qū)別

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導體，并具有獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，化合物半...

2022-08-03 標簽：晶體管SiCGaN 1986 0

使用GaN設計高功率器件

從 70 年代下半葉開始，電源管理應用的主導技術是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進步和改進。然而，隨著...

2022-08-09 標簽：晶體管功率器件GaN 1976 0

絕緣柵GaN基平面功率開關器件技術

GaN基功率開關器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...

2023-04-29 標簽：功率器件GaN開關器件 1968 0

如何在缺陷樣本少的情況下實現(xiàn)高精度的檢測

導 讀 缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關鍵環(huán)節(jié)，其檢測結果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質量。而在現(xiàn)實場景中，但產(chǎn)品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...

2023-06-26 標簽：軟件GaN生成器 1946 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵GaN 1941 0

開關管的驅動器及驅動電路設計

電源常用的開關器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅動型器件，不同類型器件的驅動電路也不完全相同

2023-10-16 標簽：MOSFET驅動器變換器 1936 0

如何設置、設計及正確地驅動GaN功率級

您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用H...

2023-04-14 標簽：微控制器GaN 1928 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBDSiCGaN 1927 0

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...

2023-03-27 標簽：驅動器GaNPCB 1925 0

針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進行原子層蝕刻的研究

基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如Al...

2023-12-13 標簽：蝕刻GaN離子 1917 0

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

電源轉換器的設計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標簽：MOSFET晶體管GaN 1865 0