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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>絕緣柵GaN基平面功率開關器件技術

絕緣柵GaN基平面功率開關器件技術

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GaN功率電子器件技術路線

目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件技術路線,另一是在Si襯底上制作平面導通型器件技術路線。
2019-08-01 15:00:037275

基于GaN器件的驅動設計方案

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅動器方案,解決設計過程的風險。
2019-11-18 08:38:435667

SiC功率器件GaN功率、射頻器件介紹

,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升,預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0010174

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關開關速度非??欤?秒可以開關上千次(kHz),高速功率器件可達到幾十kHz,甚至上百kHz。開關速度越快意味著器件的電壓變化率dv/dt和電流變化率di
2022-04-22 11:29:482477

垂直GaN功率器件的最新進展

最近在推進寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進展,這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關頻率,以及它們因此能夠提高開關模式電源轉換器的功率密度和效率。大多數市售的 WBG 功率
2022-07-29 10:35:011568

集成汽車 GaN 功率器件

意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:57641

GaN扼殺的硅、分立功率器件

。與此同時,一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩步前進,該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比當今市場上最好的 GaN 產品好 300 倍(圖1)。 圖 1:一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點)和
2022-08-04 11:17:55587

功率 GaN 技術和銅夾封裝

越來越多的社會壓力和越來越多的減少二氧化碳排放的立法正在推動從汽車到電信的行業投資于更高效的電力轉換和增加電氣化。傳統的硅基功率半導體技術絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在工作頻率、速度方面存在根本性
2022-08-04 09:52:161078

GaN功率器件在工業電機控制領域的應用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530

國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

 相比于橫向功率電子器件GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內外眾多科研團隊的目光,近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35754

深度解析GaN功率晶體管技術及可靠性

GaN功率晶體管:器件技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426

絕緣柵Si基GaN平面器件關鍵工藝

傳統GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系,其中X金屬可為Ni,Mo,PT,Ti等。這種傳統有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝(>800℃),第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735

GaN功率器件應用可靠性增長研究

GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優勢

GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25659

垂直GaN功率器件徹底改變功率半導體

使用GaN(氮化鎵)的功率半導體作為節能/低碳社會的關鍵器件而受到關注。兩家日本公司聯手創造了一項新技術,解決了導致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40709

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術

氮化鎵(GaN功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流(DC-DC)變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點,用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374

航空航天領域中的GaN功率器件(下)

電源散熱技術,都有助于實現電源從組件到系統的全方位突破。因此,基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源,將引導新一代宇航電源產品實現性能參數的巨大飛躍,
2024-01-05 17:59:04272

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