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高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC),...
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓...
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領域有著廣泛...
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,...
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表,具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
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