什么是溝道通孔？溝道通孔刻蝕需要考慮哪些方面？

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。

2024-03-20 標簽：晶圓ICP 1954 0

半導體制造過程解析

在這篇文章中，我們將學習基本的半導體制造過程。為了將晶圓轉化為半導體芯片，它需要經歷一系列復雜的制造過程，包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線...

2024-10-16 標簽：芯片半導體晶圓 1941 0

Al2O3鈍化PERC太陽能電池的工業清洗序列

摘要 在本文中，我們研究了測試晶圓和PERC太陽能電池的不同工業適用清洗順序，并與實驗室類型的RCA清洗進行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...

2021-12-31 標簽：太陽能電池太陽能晶圓 1941 0

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質量

隨著工藝節點不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費的資金成本從數十萬到上億，呈指數級增長，同時生產掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標簽：探測器晶圓光刻 1918 0

專用晶圓加工工藝實現高性能模擬IC

模擬IC往往需要采用能夠優化性能和精度的特殊IC工藝技術。這種獨立設計最終在系統級芯片(SoC)方案中獲得了廣泛的應用。

2012-03-15 標簽：模擬IC晶圓加工工藝 1917 0

晶圓到晶圓混合鍵合的前景和工藝流程

3D集成是實現多芯片異構集成解決方案的關鍵技術，是業界對系統級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應。3D 堆疊正在電子系統層次結構的不同級別（從封裝...

2024-02-22 標簽：芯片晶圓鍵合 1914 0

國產CVD設備在4H-SiC襯底上的同質外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標簽：新能源汽車晶圓SiC 1902 0

晶圓級封裝的關鍵技術點

射頻前端（RFFE，Radio Frequency Front-End）模組國內外手機終端中廣泛應用。它將功率放大器（PA，Power Amplifie...

2023-07-08 標簽：晶圓封裝射頻前端 1881 0

一顆MEMS聲學傳感器典型的產品構造圖詳解

MEMS芯片負責感知信號，將測量量轉化為電阻、電容等信號變化；ASIC芯片負責將電容、電阻等信號轉換為電信號，其中涉及到信號的轉換和放大等功能。

2023-11-01 標簽：傳感器集成電路asic 1879 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片NAND晶圓 1879 0

晶圓為什么是圓形的？

當硅的溫度達到穩定狀態時，將一個有適當方向(如晶向為〈111〉)的硅籽晶(seed)放入熔融硅中，作為后續生長較大晶體的起始點。當籽晶的底部開始在熔融硅...

2023-12-25 標簽：芯片晶體晶圓 1869 0

一種在單個晶片清潔系統中去除后處理殘留物的方法

提供了一種在單個晶片清潔系統中去除后處理殘留物的方法。該方法開始于向設置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對表面之間產生...

2022-03-22 標簽：半導體晶圓工藝 1844 0

浸沒式光刻，拯救摩爾定律

2000年代初，芯片行業一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術。

2023-08-23 標簽：編碼器晶圓交換機 1830 0

LTCC/HTCC基板在晶圓測試探針卡中的應用

在半導體產業的制造流程上，主要可分成IC設計、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測試，就是對晶圓上的每顆晶粒進行電性特性檢測，以檢測...

2023-05-26 標簽：半導體晶圓LTCC 1829 0

通過表面分析評估Cu-CMP工藝

半導體裝置為了達成附加值高的系統LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關注?；瘜W...

2022-04-26 標簽：晶圓工藝CMP 1817 0