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晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

混合鍵合的發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)

在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。

2023-07-15 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2440 0

晶圓制造和封裝之影響良率的主要工藝和材料因素（一）

晶圓制造和封裝是一個(gè)極其漫長和復(fù)雜的過程，涉及數(shù)百個(gè)要求嚴(yán)格的步驟。這些步驟從未每次都完美執(zhí)行，污染和材料變化結(jié)合在一起會(huì)導(dǎo)致晶圓在生產(chǎn)過程中的損失。

2024-05-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 2428 0

了解不同類型的半導(dǎo)體封裝

圖1為您呈現(xiàn)了半導(dǎo)體封裝方法的不同分類，大致可以分為兩種：傳統(tǒng)封裝和晶圓級（Wafer-Level）封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進(jìn)行封...

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 2425 0

半導(dǎo)體制程前端技術(shù)的概覽和氧化工藝

MOSFET結(jié)構(gòu)的核心就是柵極（Gate）。MOSFET與BJT晶體管不同，柵極不與電流溝道（S與D的中間部分）直接接觸，只是“間接”發(fā)揮作用。

2023-06-11 標(biāo)簽：電子元器件 MOSFET 晶圓 2421 0

半導(dǎo)體濕法清洗工藝

隨著技術(shù)的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小，清潔過程變得越來越復(fù)雜。每次清洗不僅要對晶圓進(jìn)行清洗，所使用的機(jī)器和設(shè)備也必須進(jìn)行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑...

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芯片制造的關(guān)鍵一步：鍵合技術(shù)全攻略

在芯片制造領(lǐng)域，鍵合技術(shù)是一項(xiàng)至關(guān)重要的工藝，它直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的鍵合技術(shù)，包括其基本概念、分類、...

2025-01-11 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝鍵合 2408 0

傳統(tǒng)封裝工藝流程簡介

在晶圓制作完成后，會(huì)出貨給封裝廠，封裝廠再將一粒粒的芯片封裝起來。我這里所說的傳統(tǒng)封裝是指以打線為主的封裝方式，比如DIP,QFP,SOP,QFN等，不...

2024-01-05 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝流程 2396 0

掩模工藝中硬烘培的操作方法及顯影檢驗(yàn)

硬烘培溫度的上限以光刻膠流動(dòng)點(diǎn)而定。光刻膠有像塑料的性質(zhì)，當(dāng)加熱時(shí)會(huì)變軟并可流動(dòng)。當(dāng)光刻膠流動(dòng)時(shí)，圖案尺寸便會(huì)改變。當(dāng)在顯微鏡下觀察光刻膠流動(dòng)時(shí)，將會(huì)明...

2020-02-29 標(biāo)簽：晶圓光刻 2395 0

離子注入涉及到的隧道效應(yīng)為什么需要7°角？

隧道效應(yīng)，又稱溝道效應(yīng)，對晶圓進(jìn)行離子注入時(shí)，當(dāng)注入離子的方向與晶圓的某個(gè)晶向平行時(shí)，其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無規(guī)則的碰撞，而是將沿溝道（原子之間的縫隙）運(yùn)動(dòng)...

2024-01-08 標(biāo)簽：晶圓單晶硅 2385 0

常見的晶圓顯影方式

晶圓顯影過程是光刻工序中必不可少的步驟，顯影過程已經(jīng)經(jīng)歷了幾十年的創(chuàng)新和進(jìn)步。那么常見的顯影方式有幾種？顯影液的種類有哪些？顯影的機(jī)理是什么？顯影主要的...

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半導(dǎo)體芯片制造的各個(gè)階段

固態(tài)器件的制造分為以下五個(gè)不同的階段(如下圖所示

2023-10-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 2364 0

半導(dǎo)體制造工藝科普

半導(dǎo)體元件制造涉及到一系列復(fù)雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應(yīng)用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應(yīng)用的需求。

2024-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 2359 0

一文了解芯片的制作過程

簡單來說，芯片之于電子設(shè)備的地位等同于發(fā)動(dòng)機(jī)之于汽車，而制備芯片的原材料，就是最普通不過的石英砂。

2023-09-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 cpu 2358 0

光刻各環(huán)節(jié)對應(yīng)的不同模型種類

光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計(jì)算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機(jī)的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻...

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一個(gè)晶圓被分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工藝

一個(gè)晶圓要經(jīng)歷三次的變化過程，才能成為一個(gè)真正的半導(dǎo)體芯片

2023-07-04 標(biāo)簽：pcb 晶圓 WLCSP封裝 2319 0

氮化鎵技術(shù)的壁壘是什么氮化鎵晶體管工作原理

氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。

2023-02-14 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 2310 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 晶圓 2310 0

大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個(gè)芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓 SiC 激光切割 2300 0

電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢？

電化學(xué) 沉積技術(shù)，簡稱 ECD（Electrical Chemical Deposition）技術(shù)，也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路晶圓 CMP 2295 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標(biāo)簽：晶圓功率器件 SiC 2275 0

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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