什么是溝道通孔?
溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構,并填充了導電材料,它們在每個存儲層之間形成導電通道,從而使電子能夠在在存儲單元間移動,進行讀取、寫入和擦除操作。
通孔的深度與控制柵的層數有關,如果是400層以上,通孔的深度在10微米左右,而通孔的直徑僅為100nm,因此通孔蝕刻是一種高深寬比的蝕刻。
溝道通孔刻蝕工藝步驟
刻蝕分為三步:無定形碳膜的沉積;碳膜的刻蝕;通孔的刻蝕
為什么要沉積無定形碳膜?因為碳具有很高的耐蝕刻性能。在刻蝕高深寬比的通孔時,碳掩模能夠抵抗刻蝕過程中的化學氣體,保護碳膜下面的疊層結構不被蝕刻。
無定形碳膜的刻蝕:該工序用ICP-RIE進行刻蝕,刻蝕氣體以O2為主。
通孔的刻蝕:該工序采用CCP-RIE進行蝕刻,刻蝕氣體以含氟氣體為主。
溝道通孔刻蝕需要考慮哪些方面?
通孔直徑的均勻性:所有通孔直徑要一致,防止存儲效率的不一致性。
側壁平滑度:通孔側壁的粗糙度會影響后續材料的填充質量。
刻蝕深度控制:要求每個通孔都達到相同的深度,以確保每層存儲單元均勻可靠。
掩模侵蝕:硬掩模在刻蝕過程中的耐用性,以防在長時間刻蝕過程中被侵蝕掉。
特征畸變:防止由于應力而引起的通孔彎曲、扭曲和傾斜。
清潔和去除殘留物:刻蝕過程中,需要及時排除通孔底部的刻蝕生成物。
審核編輯:劉清
-
晶圓
+關注
關注
52文章
5113瀏覽量
129157 -
ICP
+關注
關注
0文章
75瀏覽量
13133
原文標題:3D NAND的溝道通孔是怎么做出來的?
文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
電源設計或電源測評需要考慮哪些方面?
P溝道和N溝道MOSFET在開關電源中的應用
開關電源設計之:P溝道和N溝道MOSFET比較
N溝道和P溝道MOSFET的區別是什么
N溝道型和P溝道型的MOS管選型有何不同?
3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

評論