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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法

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2020-07-30 07:34:24

高速線纜制程工藝中的表面清潔度檢測(cè)方案

表面清潔度儀是全球領(lǐng)先的高端定量檢測(cè)設(shè)備,能實(shí)時(shí)非接觸式快速量化精準(zhǔn)檢測(cè)高速線纜鋁箔表面清潔度,測(cè)試只需3秒,能快速判斷鋁箔激光去除麥拉后是否已足夠干凈并可進(jìn)入下步焊接工序,減少焊接不良問題,進(jìn)而
2021-04-23 10:06:10

農(nóng)藥殘留物檢測(cè)儀HM-NC12

農(nóng)藥殘留物檢測(cè)儀【恒美 HM-NC12】產(chǎn)品簡(jiǎn)介:      農(nóng)藥殘留物檢測(cè)儀【恒美 HM-NC12】依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)方法(GB/T5009.199-2003
2021-06-02 09:30:32

基于FPGA的視頻后處理系統(tǒng)

基于FPGA的視頻后處理系統(tǒng)--的技術(shù)論文
2015-10-30 10:38:260

多普勒后處理的STAP方法

一般的多普勒后處理方法忽視了相鄰多普勒通道間數(shù)據(jù)的相關(guān)性,這將造成雜波協(xié)方差矩陣估計(jì)的不準(zhǔn),因此本文提出了一種聯(lián)合相鄰多普勒通道信息的空時(shí)自適應(yīng)處理方法。該方法先通過(guò)時(shí)域滑窗后濾波的處理方式來(lái)降低
2018-03-09 10:26:151

一文看懂pcba板清潔方法與要求

在PCBA加工過(guò)程中,錫膏和助焊劑會(huì)產(chǎn)生殘留物質(zhì),殘留物中包含有有機(jī)酸和可分解的電離子,其中有機(jī)酸具有腐蝕作用,電離子殘留在焊盤還會(huì)引起短路,而且這些殘留物在PCBA板上是比較臟的,也不符合客戶對(duì)產(chǎn)品清潔度的要求。所以,對(duì)PCBA板進(jìn)行清洗是非常有必要的。
2018-05-03 16:15:2416724

解析PCB電鍍后處理的12類處理方法工藝

完整的PCB電鍍工藝包括電鍍的后處理,廣義地說(shuō),所有電鍍層在完成電鍍以后都要進(jìn)行后處理。最簡(jiǎn)單的后處理包括最簡(jiǎn)單的后處理包括熱水清洗和干燥。而許多鍍層還要求有鈍化、著色、染色、封閉、涂裝等后處理,以使鍍層的性能得到更好發(fā)揮和加強(qiáng)。
2019-02-25 17:32:023966

一文看懂污染物殘留物對(duì)PCB點(diǎn)焊的影響

的影響方面變得越來(lái)越突出。盡管傳統(tǒng)的表面貼裝技術(shù)(SMT)很好地利用了低殘留和免清洗的焊接工藝,但在可靠性高的產(chǎn)品中,產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)致密化和部件的小型化組裝使得越來(lái)越難以達(dá)到合適的尺寸。由清潔問題引起的產(chǎn)品故障增加導(dǎo)致的清潔等級(jí)。本文將簡(jiǎn)要討論污染物殘留物對(duì)PCB點(diǎn)焊的影響以及與清洗有關(guān)的一些問題。
2019-08-03 10:22:493972

印刷電路板上焊劑殘留物會(huì)造成哪些危害性

焊劑殘留物在不同的條件下形成不同的形態(tài),一般再流焊接完成后,焊膏中焊劑殘留呈玻璃態(tài),但如果焊點(diǎn)形成的環(huán)境比較封閉,就會(huì)形成粘稠狀的松香膜,我們稱之為“濕”的焊劑殘留物。如果焊點(diǎn)在高溫高濕環(huán)境下存
2019-09-30 11:22:294199

PCB電路板如何清潔及維護(hù)

USB板的黑色阻焊層似乎比其他顏色更能突出助焊劑殘留物。我最近也開始在注射器中使用凝膠劑而不是助焊劑筆,它更粘稠,留下更多殘留物。所以好的清潔比以往更重要。
2019-10-14 10:21:279197

波峰焊工藝中的焊點(diǎn)殘留物的形成原因說(shuō)明

本文主要介紹波峰焊工藝中的焊點(diǎn)殘留物,圍繞深色殘余物、綠色殘留物、白色腐蝕物這三點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明!
2020-04-15 11:23:436575

3D打印后處理零件的方法有哪些

方法通常用于對(duì)通過(guò)粉末床熔合工藝進(jìn)行3D打印的塑料和金屬零件進(jìn)行后處理。例如,通過(guò)選擇性激光燒結(jié)(SLS)制成的所有組件均經(jīng)過(guò)介質(zhì)噴砂處理,以去除粘附在工件上的多余未燒結(jié)粉末。
2020-10-02 17:50:004320

PCBA上殘留物對(duì)PCBA的可靠性是否有影響?

在工藝實(shí)踐以及PCBA的失效分析中,作者發(fā)現(xiàn)PCBA上的殘留物對(duì)PCBA的可靠性水平影響極大。
2021-03-19 10:22:005162

扇出型晶圓級(jí)封裝在單個(gè)晶片堆疊中的應(yīng)用

Durendal?工藝提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方式進(jìn)行單個(gè)晶片堆疊,并能產(chǎn)出高良率以及穩(wěn)固可靠的連接。在未來(lái),我們期待Durendal?工藝能促進(jìn)扇出型晶圓級(jí)封裝在單個(gè)晶片堆疊中得到更廣泛的應(yīng)用。
2020-12-24 17:39:43550

UV光油固化后殘留氣味如何處理去除方法的介紹

的,因此不同UV光油品牌、UV光油涂覆厚度、UVLED固化光強(qiáng)等不同,UV光油的致臭原因也不同,因此去除方法也就不一樣。 關(guān)于如何處理UV光油固化后的殘留氣味,昀通科技作為UVLED固化機(jī)廠家,也有很多UV光油固化應(yīng)用的客戶,在UV光油固化領(lǐng)
2021-01-19 11:08:377462

農(nóng)藥殘留物檢測(cè)儀可快速檢測(cè)出農(nóng)藥殘留問題

人工進(jìn)行檢測(cè),需要借助農(nóng)藥殘留物檢測(cè)儀等專業(yè)的檢測(cè)儀器進(jìn)行檢測(cè)。目前農(nóng)藥殘留物檢測(cè)儀【恒美 HM-NC12】常被用于農(nóng)貿(mào)市場(chǎng)、生產(chǎn)基地、批發(fā)市場(chǎng)、超市等場(chǎng)所。 傳統(tǒng)的檢測(cè)方法需將采集的樣品帶到實(shí)驗(yàn)室里進(jìn)行測(cè)定和分析,這種檢測(cè)方式耗
2021-06-10 14:40:58317

UV光油固化后殘留氣味的處理方法及注意事項(xiàng)

最近一些印刷行業(yè)的客戶在和昀通科技交流時(shí)反映,現(xiàn)在大部分UV光油在固化后殘留的氣味都比較重,但是苦于沒有比較好的方法去除這些問題。其實(shí)UV光油殘留氣味較大這個(gè)問題還是比較復(fù)雜的,因此不同UV光油品牌、UV光油涂覆厚度、UVLED固化光強(qiáng)等不同,UV光油的致臭原因也不同,因此去除方法也就不一樣。
2021-10-12 08:46:112079

關(guān)于臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒的研究報(bào)告

摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過(guò)200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng),代替脫蠟
2022-01-26 16:02:02321

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

去,除重有機(jī)污染物,piranha清洗是一個(gè)有效的過(guò)程;然而,piranha后殘留物頑強(qiáng)地粘附在晶片表面,導(dǎo)致顆粒生長(zhǎng)現(xiàn)象。已經(jīng)進(jìn)行了一系列實(shí)驗(yàn)來(lái)幫助理解這些過(guò)程與硅的相互作用。
2022-02-23 13:26:322009

清洗半導(dǎo)體晶片方法說(shuō)明

)和第二槽(138)中;晶片在第二槽(138)中處理后,將晶片從第二槽(138)中取出,文章全部詳情:壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁使晶片保持濕潤(rùn)狀態(tài)。在將晶片之一轉(zhuǎn)移到單個(gè)晶片清潔模塊150中的夾盤上的同時(shí)旋轉(zhuǎn)夾盤,同時(shí)將化學(xué)溶液施加到晶片上;將去離子水涂
2022-02-28 14:56:03927

水痕去除的有效方法有哪些

應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥,但從減少顆粒和防止水痕的角度來(lái)看,這都是無(wú)效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺(tái)。
2022-03-15 11:27:481021

兆聲清洗晶片過(guò)程中去除力的分析

在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中,兆聲波已經(jīng)被廣泛用于從硅晶片去除污染物顆粒。在這個(gè)過(guò)程中,平面硅片被浸入水基溶液中,并受到頻率在600千赫-1兆赫范圍內(nèi)的聲能束的作用。聲波通常沿著平行于晶片/流體界面
2022-03-15 11:28:22460

晶片清洗及其對(duì)后續(xù)紋理過(guò)程的影響

殘留物由不同量的聚乙二醇或礦物油(切削液)、鐵和銅的氧化物、碳化硅和研磨硅,這些殘留物可以通過(guò)鋸切過(guò)程中產(chǎn)生的摩擦熱燒到晶片表面,為了去除這些殘留物,需要選擇正確的化學(xué)物質(zhì)來(lái)補(bǔ)充所使用的設(shè)備。 在晶片清洗并給予
2022-03-15 16:25:37320

通過(guò)封閉系統(tǒng)和蒸汽方法清潔晶圓

隨著LSI的精細(xì)化,晶片的清洗技術(shù)越來(lái)越重要。晶片清洗技術(shù)的一個(gè)重要特性是如何在整個(gè)過(guò)程中去除刨花板或重金屬,以及在這個(gè)清洗過(guò)程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的發(fā)生。作為晶片的清洗技術(shù),目前也在使用水槽式清洗,用于清洗的藥品從鐘來(lái)看,RCA清洗是主流。
2022-03-18 14:11:12348

使用濕化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠和殘留物

在未來(lái)幾代器件中,去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線后離子注入(源極/漏極、擴(kuò)展),使用PR來(lái)阻斷部分電路導(dǎo)致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線(BEOL)蝕刻中,除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。
2022-03-24 16:03:24778

半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后的感光膜去除方法

通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡(jiǎn)化后處理序列,從而縮短前工藝處理時(shí)間,上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下,用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟;將晶片安放在板上,然后用O2等離子體去除感光膜的步驟;和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783

一種澆口蝕刻后的感光膜去除方法

本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法,通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡(jiǎn)化后處理序列,從而縮短前工藝處理時(shí)間,上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下,用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟; 將晶片安放在板上,然后用O2等離子體去除感光膜的步驟; 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26356

一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法

本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中,將殘留晶片上的光刻膠,在H2O
2022-04-13 13:56:42872

一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片方法

本發(fā)明公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片方法,所公開的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域,使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入
2022-04-14 15:13:57604

使用單晶片自旋處理器的背面清潔研究

在這項(xiàng)研究中,我們?nèi)A林科納使用經(jīng)濟(jì)特區(qū)單晶片自旋處理器開發(fā)了一種單一背面清潔解決方案,能夠通過(guò)蝕刻晶片背面的幾埃來(lái)去除任何金屬或外來(lái)污染物,無(wú)論其涂層如何(無(wú)涂層、Si3N4或SiO2)。選擇H2O
2022-05-06 14:06:45339

用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)

本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù),它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合,導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)
2022-05-07 15:11:11621

開發(fā)一種低成本的臭氧去離子水清洗工藝

摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過(guò)商業(yè)脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過(guò)200的蠟殘留物。由于臭氧的擴(kuò)散限制反應(yīng),代替脫蠟
2022-05-07 15:49:26920

刻蝕后殘留物去除方法

(BCB)。蝕刻工藝的固有副產(chǎn)物是形成蝕刻后殘留物,該殘留物包含來(lái)自等離子體離子、抗蝕劑圖案、蝕刻區(qū)域的物質(zhì)混合物,以及最后來(lái)自浸漬和涂覆殘留物的蝕刻停止層(Au)的材料。普通剝離劑對(duì)浸金的蝕刻后殘留物無(wú)效,需要在去除殘留物
2022-06-09 17:24:132320

使用清洗溶液實(shí)現(xiàn)蝕刻后殘留物的完全去除

我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體開發(fā)了一種新的濕法清洗配方方法,其錫蝕刻速率在室溫下超過(guò)30/min,在50°c下超過(guò)100/min。該化學(xué)品與銅和低k材料兼容,適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)
2022-06-14 10:06:242210

BEOL應(yīng)用中去除蝕刻后殘留物的不同濕法清洗方法

)開口的低k圖案化中,觀察到兩個(gè)主要問題。首先,MHM開口后的干剝離等離子體對(duì)暴露的低k材料以及MHM下面的低k材料造成一些損傷。受損低k是非常易碎的材料,不應(yīng)該被去除,否則將獲得一些不良的輪廓結(jié)構(gòu)。其次,連續(xù)的含氟低k蝕刻等離子體導(dǎo)致聚合物
2022-06-14 16:56:371355

適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學(xué)成分(1)

引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方,該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系列研究中,開發(fā)了一種配方平臺(tái),其成功地清潔
2022-06-23 15:56:541073

晶片背面和斜面清潔(上)

介紹 在IC制造中,從晶圓背面(BS)去除顆粒變得與從正面(FS)去除顆粒一樣重要。例如,在光刻過(guò)程中,; BS顆粒會(huì)導(dǎo)致頂側(cè)表面形貌的變化。由于焦深(DOF)的處理窗口減小,這可能導(dǎo)致焦點(diǎn)故障
2022-06-27 18:54:41796

金屬加工液機(jī)床表面殘留物的解決方法

  金屬加工液的主要功能之一是為零件提供工序間的防銹性,這通過(guò)在金屬表面留下的防銹膜來(lái)完成。所以,這里要討論的不是金屬加工液是否留下殘留物,而是殘留物是否是有目的地留下的。
2022-11-25 09:17:091024

PCBA殘留物的影響及清洗,助焊劑殘留物怎么樣清除

發(fā)現(xiàn)PCBA 上的殘留物對(duì)PCBA 的可靠性水平影響極大,而在殘留物中,無(wú)機(jī)殘留物會(huì)減小絕緣電阻,增加焊點(diǎn)或?qū)Ь€間的漏電流,在潮濕空氣條件下,還會(huì)使金屬表面腐蝕;有機(jī)殘留物(如松香、油脂等)會(huì)形成絕緣膜,從而影響連接器、開關(guān)和繼電器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122

焊后錫膏殘留物帶來(lái)的危害有哪些?

也帶來(lái)腐蝕和漏電等問題。一般的電子產(chǎn)品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現(xiàn)。焊后錫膏殘留物帶來(lái)的危害:1、顆粒性污染物易造成電短路;2、極性玷污物會(huì)造成介質(zhì)擊穿、漏電和元
2023-07-25 19:18:26715

倒裝晶片的組裝工藝流程

相對(duì)于其他的IC元件,如BGA和CSP等,倒裝晶片裝配工藝有其特殊性,該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因?yàn)橹竸?b class="flag-6" style="color: red">殘留物(對(duì)可靠性的影響)及橋連的危險(xiǎn),將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法
2023-09-22 15:13:10352

免洗錫膏之殘留物腐蝕性機(jī)理分析

層的作用,只會(huì)留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少,但對(duì)于某些高精密器件仍不可忽視。因此,免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。
2024-01-08 09:04:56143

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