了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:13
1396 
半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:57918 
在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導致PR實質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:087175 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241335 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導體市場規(guī)模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 。正性光刻膠在半導體制造中使用得最多，因其可以達到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段更好的選擇。現(xiàn)在世界上有不少公司生產(chǎn)用于半導體制造的光刻膠。 光刻光刻在芯片制造過程中至關(guān)重要，因為它決定了芯片上的晶體管
2022-04-08 15:12:41
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
的厚膜圖形；它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復雜的圖形；在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點：1
2018-07-12 11:57:08
]。光刻膠涂覆在半導體、導體和絕緣體上，經(jīng)曝光顯影后留下的部分對底層起保護作用，然后采用超凈高純試劑進行蝕刻，從而完成了將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到底層上的圖形轉(zhuǎn)移過程。一個IC的制造一般需要經(jīng)過10多次圖形轉(zhuǎn)移
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認知無線電（名詞解釋） 4半導體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導體設備制造商并指出其生產(chǎn)的設備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導體材料市場構(gòu)成：在半導體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
大家有沒有用過半導體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對一個2.5W的熱負載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時熱負載所處的空間只降到30度，我采用的時泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導體制冷的機理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負熱阻的制冷技術(shù)，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實歸根究底，就是在矽半導體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類，更復雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導體的每一個電子元器件的完成都是由精密復雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導體器件時，為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體，使之導電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導體中摻入雜質(zhì)形成N型半導體或P型半導體改善其導電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會用于先進產(chǎn)能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導體
2020-02-27 10:42:16
半導體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。假如海外半導體代工廠不給中國大陸設計公司代工，那么中國的半導體產(chǎn)業(yè)將會受到很嚴重影響。半導體制造發(fā)展歷史20世紀50年代——晶體管技術(shù)自從1947年貝爾實驗室的第一個晶體管發(fā)明以來，20世紀50年代
2020-09-02 18:02:47
噪聲、空氣噪聲和微振動也是特殊的污染物。還有一點值得注意的就是：半導體工廠內(nèi)會有大量的酸性氣體（這些氣體來自于晶圓的蝕刻、清洗等過程），其次由于半導體制造的過程中會需要大量使用光阻液、顯影液等等，這些
2020-09-24 15:17:16
AL-CU互連導線側(cè)壁孔洞形成機理及改進方法側(cè)壁孔洞缺陷是當前Ａｌ?Ｃｕ 金屬互連導線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會導致電遷移，從而降低器件的可靠性。缺陷的產(chǎn)生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
，購買或者開發(fā)EUV光刻機是否必要？中國應如何切實推進半導體設備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點所謂極紫外光刻，是一種應用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
半導體制造領域的標志：NR9-PY 系列負性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
`浮膠是顯影或腐蝕過程中常出現(xiàn)的一種不良現(xiàn)像，也是影響較為嚴重的一種光刻弊病。顯影時產(chǎn)生的浮膠 在顯影時，玻璃表面的膠膜皺起呈桔皮狀或膠膜大片剝離。產(chǎn)生這一現(xiàn)像，說明膠膜與玻璃表面ITO層粘附不好
2018-11-22 16:04:49
SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡介：新型的化學增幅型負像 SU- 8 膠是一種負性、環(huán)氧樹脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導致的深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
廠的應用。 2 SPC技術(shù)概述 早期的半導體制造企業(yè)為保證產(chǎn)品質(zhì)量，基本上以工藝檢測和產(chǎn)品檢驗為主要手段進行產(chǎn)品的質(zhì)量監(jiān)控，很明顯這是一種事后檢測的方法，隨著各類使用半導體元器件的電子產(chǎn)品的質(zhì)量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
、晶圓、光刻、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝上市等基本步驟。硅熔煉成硅錠：通過多步凈化得到可用于半導體制造質(zhì)量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬
2017-05-04 21:25:46
`《半導體制造工藝》學習筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應用，包括去除有機雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
工藝步驟：光刻：通過在晶片表面涂上均勻的薄薄一層粘性液體（光刻膠）來定義圖案的過程。光刻膠通過烘烤硬化，然后通過光穿過包含掩模信息的掩模版進行投射而選擇性地去除。蝕刻：從晶片表面選擇性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
三種常見的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)。 ◆投影式暴光是利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
我想用單片機開發(fā)板做個熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個猜想：一個用半導體制冷片發(fā)熱，一個用電熱片。但我不會中間要不要接個DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
噴膠機是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設備。可對不同尺寸和形狀的基片進行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進行均勻涂膠；通過計算機系統(tǒng)控制器進行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
想用半導體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
本文介紹了一種去除傳輸線的方法。
2021-05-21 07:10:45
{:1:}想了解半導體制造相關(guān)知識
2012-02-12 11:15:05
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學浴）主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕是半導體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
) （7）光刻膠的去除 5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除 6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱 7、 去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理 8、 用熱磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
表面，將經(jīng)過光照分解的光刻膠層除去，保留未曝光部分的光刻膠層，用化學方法使受UV 光照射部分的光刻膠溶于顯影液中，顯影后的玻璃要經(jīng)過一定的溫度的堅膜處理。（如圖：） G． 堅膜：將玻璃再經(jīng)過一次高溫處理
2016-06-30 09:03:48
腐蝕(一般稱刻蝕)—進行的化學物質(zhì)是氣體。 1 濕法腐蝕，采用溶液進行的腐蝕是一種各向同性腐蝕。因而，光刻膠掩模下面的薄膜材料，在模方向上也隨著時間的增長而受到腐蝕，因此，出現(xiàn)與掩模圖形不一致的現(xiàn)象
2019-08-16 11:11:34
。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。 清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。 而100多億個晶體管就是通過這樣的方式雕刻
2020-07-07 11:36:10
半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中
2016-11-27 22:34:51
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
、半導體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片、等產(chǎn)品進行在線顆粒監(jiān)測和分析。產(chǎn)品優(yōu)勢：離線優(yōu)勢：PMT-2離線光刻膠微粒子計數(shù)器外接離線取樣裝置，可實現(xiàn)實驗室、工廠
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數(shù)器，采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49
GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機電系統(tǒng)）等微細結(jié)構(gòu)。光刻機是一種光學投影技術(shù)，通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
急需突破的領域，但它也是技術(shù)門檻最高的，國內(nèi)最大的半導體制造公司中芯國際的營收只有第一大晶圓代工公司臺積電的1/20，與英特爾相比更是只有1/20，但是這些芯片制造公司都離不開一個設備——光刻機，它是整個半導體制造行業(yè)的明珠。
2018-07-22 10:32:3710947 在國家政策與市場的雙重驅(qū)動下，近年來，國內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3612831 
在國際半導體領域，我國雖已成為半導體生產(chǎn)大國，但整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導體光刻膠技術(shù)相較于海外先進技術(shù)差距較大，國產(chǎn)化不足5%。在這種條件下，國內(nèi)半導體廠商積極開展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165 光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395379 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 首先，我們都知道要制作一顆芯片可以簡單分為三個步驟：IC芯片設計芯片制造封裝測試。從最早誕生于電路設計師的腦袋中，到將大腦中的線路圖像設計出來，最后送到半導體車間經(jīng)由光刻機反復光刻，中間經(jīng)過
2020-11-14 09:36:575407 
近期，專注于電子材料市場研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計和預測數(shù)據(jù)：2021年，半導體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％，達到19億美元。
2021-03-22 10:51:125081 按照應用領域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。
2021-05-17 14:15:524011 
。 信越化學之所以停止供貨部分晶圓廠KrF光刻膠，與2月份日本福島東部海域發(fā)生7.3級地震有莫大關(guān)聯(lián)。地震導致信越化學KrF光刻膠產(chǎn)線受到很大程度的破壞，至今尚未完全恢復生產(chǎn)。 光刻膠是半導體制造中的關(guān)鍵產(chǎn)品，重要性毋庸置疑，現(xiàn)在這么多半導
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半導體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 在半導體制造方面，國內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機，已經(jīng)獲得了國內(nèi)某企業(yè)的認證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:372200 德國達姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:102646 
摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-01-27 15:55:14448 臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-02-11 15:24:33419 
了晶圓廠占地面積，并降低了資本投資和運營成本。 在 CMOS 制造中，離子注入用于修改硅襯底以滿足各種帶隙工程需求。通常，圖案化光刻膠 (PR) 用于定義離子注入位置。離子注入后，圖案化的光刻膠必須完全去除，表面必須為下一輪的圖
2022-03-01 14:39:431350 
平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設計上”。在半導體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:531935 
半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:56733 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23754 
通過使半導體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
本文的目標是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對
2022-05-07 15:11:11621 
這項研究首先集中于去除直接沉積在硅襯底上的193納米厚的光刻膠和BARC層，使用傅里葉變換紅外光譜(FTIR)和橢圓偏振光譜(SE)來評估去除效率，在第二部分中，研究了金屬硬掩模/多孔低k鑲嵌結(jié)構(gòu)
2022-05-30 17:25:241114 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174870 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預計2022年全球半導體光刻膠市場規(guī)模達到23億美元，同比增長7.5%，2025年超過25億美元。
2023-03-21 14:00:492095 光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一，常用于形成半導體設備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對其進行預熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X光）透過預先設計好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037 
在半導體制造過程中，每個半導體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點多，操作復雜。
2023-07-11 11:25:552897 
日本在半導體界一直以設備和材料笑傲群雄，2019年一則禁令一度扼住韓國半導體喉嚨，涉及材料包括高純氟化氫、氟聚酰亞胺、感光劑光刻膠，直到幾個月前，受傷的雙方才握手言和。
2023-07-27 09:54:55828 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學品。
2023-10-09 14:34:491674 
光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550 近期，萬潤股份在接受機構(gòu)調(diào)研時透露，其“年產(chǎn)65噸半導體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國有望承接半導體
2024-01-19 08:31:24340 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18399
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