光刻膠屬于半導體八大核心材料之一，根據全球半導體行業協會（SEMI）最新數據，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。

光刻膠正膠負膠的區別

光刻膠在半導體制造中起著非常重要的作用，正膠和負膠是光刻膠的兩種類型，它們有一些區別：

正膠：正膠是一種基礎性的光刻膠，當正膠被曝光后，未被光照射的部分會變得容易去除，形成暴露的圖案。正膠的特點是被光照射后會發生化學交聯反應并硬化，未被光照射的部分可以在顯影過程中被去除，形成正的圖案結構。

負膠：負膠與正膠相反，當負膠被曝光后，被光照射的部分會發生化學交聯反應并硬化，形成暴露的圖案；而未被光照射的部分會保持不變，不易被去除，形成負的圖案結構。

應用范圍：正膠和負膠根據不同的需求和工藝流程選擇使用。正膠適用于需要形成凸起結構的工藝，如導向柱、電極等；負膠適用于需要形成凹洞結構的工藝，如電容、電感等。

光刻膠和光刻機有什么關系

光刻膠和光刻機是半導體工藝中常用的兩種設備和材料。

光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。在光刻過程中，通過控制光刻機的曝光時間和光源強度，將光刻膠的圖案影射到芯片上，從而形成所需的芯片結構。

光刻機是一種特殊的加工設備，用于在芯片表面上制造微小的圖案和結構。它利用光刻膠的光學性質，先將光刻膠均勻涂覆在芯片表面上，然后通過選擇性曝光、顯影和清洗等過程來制造所需的微米級結構。

因此，光刻膠和光刻機是密不可分的關系。光刻膠是光刻機的關鍵材料之一，而光刻機則是光刻膠曝光和加工的關鍵設備。在半導體制造過程中，光刻膠和光刻機的品質和性能都非常重要，直接影響到芯片的制造質量和生產效率。

光刻膠和光刻機有什么區別

光刻膠和光刻機是半導體制造中兩個不同的概念，它們之間有以下區別：

1. 定義：光刻膠是一種通過曝光、顯影等方式制造芯片微米級結構的特殊液體材料；光刻機是一種用于制造微米級結構的特殊半導體加工設備，通過曝光、顯影等多個步驟來制造芯片上的結構。

2. 功能：光刻膠主要起到圖案轉移、mask增強和絲印保護等作用；而光刻機則是將微米級圖案準確地重復和精確地轉移到芯片表面上，完成芯片制造的重要設備。

3. 特點：光刻膠具有高粘度、耐腐蝕、高分辨率等特點，能夠實現復雜的圖案和結構制造。光刻機則采用多種技術，如光學、機械、電子等，具有高精度、高復現性和高效率等特點，能夠制造出高質量的芯片。

因此，光刻膠和光刻機雖然都是半導體制造過程中的重要組成部分，但是它們的作用不同、功能不同。光刻膠是通過光刻機進行制造的，而光刻機是制造芯片微米級結構的重要設備。

審核編輯：黃飛