動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-02-10 11:35
半導(dǎo)體封裝革新之路：互連工藝的升級(jí)與變革
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類(lèi)、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。592瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-02-08 10:44
從研發(fā)到應(yīng)用：國(guó)產(chǎn)高速高精度貼片機(jī)的全面發(fā)展之路
在電子制造行業(yè)的快速發(fā)展浪潮中，表面貼裝技術(shù)（SMT）作為電子組裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，正以前所未有的速度推動(dòng)著電子產(chǎn)品的生產(chǎn)效率和質(zhì)量提升。而貼片機(jī)作為SMT生產(chǎn)線中的核心設(shè)備，其性能和技術(shù)水平直接決定了電子產(chǎn)品的制造效率和品質(zhì)。近年來(lái)，國(guó)產(chǎn)高速高精度貼片機(jī)在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)拓展等方面取得了顯著的成就，正逐步打破國(guó)際品牌的壟斷，成為全球電子制造業(yè)中不可忽視的力量。 -
發(fā)布了文章 2025-02-07 11:32
濕度大揭秘！如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻？
近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶(hù)外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶(hù)外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。特別是濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理，以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制608瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-02-06 11:33
碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！
碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研發(fā)和應(yīng)用過(guò)程中也面臨著一系列技術(shù)問(wèn)題。本文將詳細(xì)探討SiCMOSFET的八大技術(shù)問(wèn)題，并給出相應(yīng)的解決方案或研究方向。一、SiCMOSFET的柵極氧化層可靠性問(wèn)題問(wèn)題概述：SiCMOSFET的柵極氧化層是其核1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-24 11:01
集成電路外延片詳解：構(gòu)成、工藝與應(yīng)用的全方位剖析
集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對(duì)芯片性能的影響。870瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-23 10:30
揭秘Au-Sn共晶鍵合：MEMS封裝的高效解決方案
隨著微型機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的快速發(fā)展，其在汽車(chē)、醫(yī)療、通信、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。MEMS器件由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能特性，對(duì)封裝技術(shù)提出了極高的要求。其中，氣密性封裝是MEMS封裝中的關(guān)鍵技術(shù)之一，它不僅能夠保護(hù)MEMS器件免受外部環(huán)境的影響，還能提高器件的性能和可靠性。Au-Sn共晶鍵合技術(shù)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，在MEMS氣密性封裝中展現(xiàn)出 -
發(fā)布了文章 2025-01-22 12:57
集成電路新突破：HKMG工藝引領(lǐng)性能革命
隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，性能不斷提升。然而，這種縮小也帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)，如柵極漏電流增加、多晶硅柵耗盡效應(yīng)等。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，業(yè)界開(kāi)發(fā)出了高K金屬柵（High-K Metal Gate，簡(jiǎn)稱(chēng)HKMG）工藝。HKMG工藝作為現(xiàn)代集成電路制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一，對(duì)提升芯片性能、降低功耗具有重要意義。本文將詳細(xì)介紹HKMG工藝的基本原理、分類(lèi) -
發(fā)布了文章 2025-01-20 11:44
半導(dǎo)體制造里的ALD工藝：比“精”更“精”！
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會(huì)用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景。1.7k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-17 14:45
揭秘PoP封裝技術(shù)，如何引領(lǐng)電子產(chǎn)品的未來(lái)？
隨著電子產(chǎn)品的日益小型化、多功能化，對(duì)半導(dǎo)體封裝技術(shù)提出了更高要求。PoP（Package on Package，疊層封裝）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，在智能手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式穿戴設(shè)備等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)探討PoP疊層封裝工藝的原理、特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)類(lèi)型、關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。1.4k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-16 13:14
引線框架質(zhì)量大起底：影響集成電路的關(guān)鍵因素
集成電路（IC）是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的核心內(nèi)容，是現(xiàn)代電子工程、計(jì)算機(jī)和信息工業(yè)開(kāi)發(fā)的重要基礎(chǔ)。在集成電路的構(gòu)成中，引線框架作為連接芯片與外部電路的關(guān)鍵部件，其質(zhì)量對(duì)集成電路的整體性能、可靠性和使用壽命具有至關(guān)重要的影響。本文將深入分析集成電路中引線框架的質(zhì)量影響因素，探討其對(duì)集成電路性能的具體影響，并提出相應(yīng)的質(zhì)量控制措施。973瀏覽量
