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• 發布了文章 2025-03-07 11:43

  我國首發8英寸氧化鎵單晶，半導體產業迎新突破！

  

  2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬禁帶半導體領域取得了國際領先地位，也為我國半導體產業鏈的全面發展帶來了新的機遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術突破與意義氧化鎵（Ga?O?）作為第四代半導體材料的代表，具有超寬的禁帶寬度（約4.8eV），遠

  半導體 氧化鎵 芯片封裝

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• 發布了文章 2025-03-06 11:11

  真空共晶爐加熱板怎么選？全面解析助您決策

  

  在高科技制造領域，真空共晶爐作為一種關鍵的焊接設備，廣泛應用于半導體封裝、微電子組件連接等高精度、高可靠性的焊接場景中。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一，其性能直接影響著焊接質量、生產效率和設備穩定性。因此，在選擇真空共晶爐加熱板時，必須綜合考慮多個因素，以確保選擇到最適合自身需求的加熱板。

  焊接設備 電加熱板 芯片封裝

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• 發布了文章 2025-03-05 10:53

  碳化硅SiC芯片封裝：銀燒結與銅燒結設備的技術探秘

  

  隨著碳化硅（SiC）功率器件在電力電子領域的廣泛應用，其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業界的廣泛認可。然而，要充分發揮SiC芯片的性能優勢，封裝技術起著至關重要的作用。在SiC芯片封裝過程中，銀燒結和銅燒結技術因其獨特的優勢，成為業界關注的焦點。本文將深入探討碳化硅SiC芯片封裝中的銀燒結與銅燒結設備技術，分析其技術原理、應用優勢、市場現狀以及未來發展趨勢。

  SiC 碳化硅 芯片

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• 發布了文章 2025-03-04 10:52

  深入探索：晶圓級封裝Bump工藝的關鍵點

  

  隨著半導體技術的飛速發展，晶圓級封裝（WLP）作為先進封裝技術的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢。在晶圓級封裝過程中，Bump工藝扮演著至關重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級封裝中實現芯片與外部電路電氣連接的關鍵結構。本文將深入解析晶圓級封裝Bump工藝的關鍵點，探討其技術原理、工藝流程、關鍵參數以及面臨的挑戰和解決方案。

  wlp 封裝 晶圓

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• 發布了文章 2025-03-03 11:34

  50%新型HPC擁抱多芯片設計：性能飛躍的新篇章

  

  在當今這個數據爆炸的時代，高性能計算（HPC）已經成為推動科技進步、產業升級和經濟社會發展的重要力量。從天氣預報、基因測序到新能源開發、航空航天，HPC的應用領域日益廣泛，對計算性能的需求也日益增長。為了滿足這種需求，HPC系統不斷在架構、處理器、存儲和網絡等方面進行創新和優化。其中，多芯片設計作為一種新興的技術趨勢，正在逐漸被越來越多的HPC系統所采用。近

  HPC 芯片封裝 芯片設計

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• 發布了文章 2025-02-28 10:48

  真空回流焊接中高鉛錫膏、板級錫膏等區別探析

  

  在電子制造領域，回流焊接技術是一種至關重要的工藝，它確保電子元器件與印刷電路板（PCB）之間的可靠連接。隨著技術的不斷進步，各種類型的錫膏應運而生，以滿足不同應用場景的需求。其中，高鉛錫膏和板級錫膏作為回流焊接中的關鍵材料，各自具有獨特的特點和應用場景。本文將深入探討真空回流焊接中高鉛錫膏、板級錫膏等區別，以期為電子制造行業提供有價值的參考。

  回流焊 電子制造 芯片封裝

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• 發布了文章 2025-02-27 11:05

  新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案

  

  隨著5G時代的到來，電子技術向著高功率、高密度和集成化的方向發展，對于大功率器件的封裝，如IGBT、MOS、大功率LED等，也相應地對焊接材料提出了更高的、更全面的可靠性需求。其中，焊接空洞問題成為影響功率器件性能和可靠性的關鍵因素之一。真空回流焊技術作為一種先進的焊接方法，在解決新型功率器件焊接空洞問題上展現出顯著優勢。本文將深入探討新型功率器件真空回流焊

  功率器件 半導體封裝 回流焊

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• 發布了文章 2025-02-25 11:26

  真空共晶爐加熱板熱膨脹系數探究

  

  在微電子封裝、半導體制造以及精密儀器制造等領域，真空共晶爐作為一種關鍵設備，扮演著至關重要的角色。真空共晶爐加熱板作為其核心部件之一，其性能直接影響到共晶焊接的質量與效率。而加熱板的熱膨脹系數，作為評估其性能的關鍵指標之一，對于確保焊接過程中的尺寸穩定性和可靠性具有重要意義。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的熱膨脹系數，包括其定義、影響因素、對焊接質量的影響以

  半導體制造 精密儀器 芯片封裝

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• 發布了文章 2025-02-24 11:17

  納米銅燒結為何完勝納米銀燒結？

  

  在半導體功率模塊封裝領域，互連技術一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關鍵因素。近年來，隨著納米技術的快速發展，納米銀燒結和納米銅燒結技術作為兩種新興的互連技術，備受業界關注。然而，在眾多應用場景中，納米銅燒結技術逐漸展現出其獨特的優勢，甚至在某些方面被認為完勝納米銀燒結。本文將深入探討納米銅燒結技術為何能夠在這一領域脫穎而出。

  功率模塊 半導體 封裝技術

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• 發布了文章 2025-02-22 11:01

  倒裝芯片封裝：半導體行業邁向智能化的關鍵一步！

  

  隨著半導體技術的飛速發展，集成電路的封裝工藝也在不斷創新與進步。其中，倒裝芯片（FlipChip，簡稱FC）封裝工藝作為一種先進的集成電路封裝技術，正逐漸成為半導體行業的主流選擇。本文將詳細介紹倒裝芯片封裝工藝的原理、特點、優勢、挑戰以及未來發展趨勢。一、倒裝芯片封裝工藝的原理倒裝芯片封裝工藝是一種將芯片有源面朝下，通過焊球直接與基板連接的封裝技術。其主要原

  倒裝芯片 半導體 芯片封裝

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