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發(fā)布了文章 2025-01-02 12:46
探秘GaN功率半導(dǎo)體封裝：未來趨勢一網(wǎng)打盡！
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。其中，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性，成為了當(dāng)前研究的熱點。然而，GaN功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)異性能要想得到充分發(fā)揮，離不開先進的封裝技術(shù)。本文將深入探討GaN功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)，分析其面臨的挑戰(zhàn)、現(xiàn)有的解決方案以及未來的發(fā)展趨1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-31 10:57
一文讀懂系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)：定義、應(yīng)用與前景
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)作為一種創(chuàng)新的集成電路封裝方式，正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵一環(huán)。SiP技術(shù)通過將多個集成電路(IC)和無源元件高度集成于單一封裝體內(nèi)，實現(xiàn)了功能完整、協(xié)同工作的系統(tǒng)單元。本文將詳細介紹SiP技術(shù)的定義、關(guān)鍵工藝、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。2.8k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-30 11:22
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發(fā)布了文章 2024-12-27 14:11
長周期認(rèn)證下的IGBT封裝：先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢與后來者的困境
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件，廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而，IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。本文將從材料選擇、熱管理、可靠性、工藝控制等方面詳細探討IGBT功率模塊封裝面臨的主要問題。607瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-26 13:58
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發(fā)布了文章 2024-12-25 13:08
納米銀燒結(jié)技術(shù)：SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達陣面高功率密度的需求下，SiC寬禁帶半導(dǎo)體器件逐步取代傳統(tǒng)硅功率器件。然而，SiC功率器件的高結(jié)溫和高功率特性對封裝技術(shù)提出了更高的要求。納米銀燒結(jié)技術(shù)作為一種先進的界面互連技術(shù)，以其低溫?zé)Y(jié)、高溫使用的優(yōu)點1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-24 12:58
揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電力電子、電動汽車、可再生能源等。功率半導(dǎo)體器件的封裝材料作為連接芯片與外部世界的橋梁，其選擇與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體器件的性能表現(xiàn)、可靠性以及整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。隨著功率半導(dǎo)體器件向大規(guī)模集成化、大功率小型化、高效率低損耗、超高頻等方向發(fā)展941瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-12-23 11:30
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發(fā)布了文章 2024-12-21 10:14
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發(fā)布了文章 2024-12-20 13:40
