動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-06-03 15:43
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發(fā)布了文章 2025-05-30 11:09
半導(dǎo)體硅表面氧化處理：必要性、原理與應(yīng)用
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理特性。本文從半導(dǎo)體硅表面氧化的必要性出發(fā)，深入探討其原理、方法、優(yōu)勢以及在集成電路、微電子器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，旨在揭示表面氧化處理在推動半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中的重要作199瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-29 11:40
芯片制造“鍍”金術(shù)：化學(xué)鍍技術(shù)的前沿突破與未來藍(lán)圖
隨著芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，對芯片制造中關(guān)鍵工藝的要求日益提高。化學(xué)鍍技術(shù)作為一種重要的表面處理技術(shù)，在芯片制造中發(fā)揮著不可或缺的作用。本文深入探討了化學(xué)鍍技術(shù)在芯片制造中的應(yīng)用現(xiàn)狀，分析了其原理、優(yōu)勢以及面臨的挑戰(zhàn)，并對近年來該技術(shù)的研究進(jìn)展進(jìn)行了全面梳理，同時(shí)展望了其未來的發(fā)展方向，旨在為芯片制造領(lǐng)域中化學(xué)鍍技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化和創(chuàng)新提供參考。250瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-05-28 14:56
甲酸真空共晶焊接工藝：開啟精密焊接新時(shí)代
在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域，焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展，傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下，甲酸真空共晶焊接工藝憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢脫穎而出，成為眾多高端電子制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。265瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-18 13:39
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發(fā)布了文章 2025-04-14 13:49
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發(fā)布了文章 2025-04-11 14:02
芯片封裝中的四種鍵合方式：技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用
芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中，鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁，直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)前，芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶自動鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù)，它們在工藝流程、技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場景上各具優(yōu)勢。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢，為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。729瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-10 14:36
從焊錫膏到3D堆疊：材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則？
在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下，先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP）、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案，正重新定義芯片性能躍遷的軌跡。隨著AI芯片需求的爆發(fā)式增長及臺積電CoWoS產(chǎn)能限制，先進(jìn)封裝材料作為產(chǎn)業(yè)鏈核心上游，其性能直接決定封裝密度、可靠性及功能性，成為推動技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的437瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-09 13:35
功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)：開啟能源與智能新紀(jì)元
本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展，功率集成技術(shù)也日益成熟，為各行業(yè)帶來了更高的效率和可靠性。464瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-04-08 11:40
先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革
本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動應(yīng)用功率密度提升的背景下，對封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢，提升功率模塊的性能與可靠性，推動電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向發(fā)展。414瀏覽量
