LM5105 是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高側(cè)和 采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)的 高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源軌電壓下工作。單個(gè)控制輸入是 兼容 TTL 信號(hào)電平，單個(gè)外部電阻器可設(shè)置開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換 死區(qū)時(shí)間通過(guò)緊密匹配的導(dǎo)通延遲電路。提供高壓二極管進(jìn)行充電 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容器。強(qiáng)大的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)在高 速度，同時(shí)功耗低，并提供干凈的輸出轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 當(dāng)?shù)蛡?cè)或自舉的高側(cè)電源電壓 低于運(yùn)行閾值。LM5105 采用熱增強(qiáng)型 WSON 塑料 包。
*附件：lm5105.pdf

特性

• 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 1.8A 峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流
• 自舉電源電壓范圍高達(dá) 118V DC
• 集成自舉二極管
• 單 TTL 兼容輸入
• 可編程導(dǎo)通延遲 （死區(qū)時(shí)間）
• 啟用輸入引腳
• 快速關(guān)斷傳播延遲（典型值為 26 ns）
• 以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 封裝：耐熱增強(qiáng)型 10 引腳 WSON
  （4 mm × 4 mm）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM5是一款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于同步降壓或半橋配置。它提供了可編程的死區(qū)時(shí)間、高電壓自舉功能以及低功率消耗。

二、主要特性

• ?高電壓支持?：高側(cè)驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)V的電源電壓。
• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過(guò)單個(gè)外部電阻器編程，死區(qū)時(shí)間可調(diào)范圍為0ns至ns。
• ?高電流驅(qū)動(dòng)能力?：峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流達(dá)1.8A。
• ?自舉二極管?：集成自舉二極管，簡(jiǎn)化了外部電路設(shè)計(jì)。
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：獨(dú)立監(jiān)控高側(cè)和低側(cè)電源電壓，確保在電壓不足時(shí)禁用柵極驅(qū)動(dòng)器。
• ?低功率消耗?：采用低功耗設(shè)計(jì)，適合高效電源管理應(yīng)用。

三、引腳功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動(dòng)電源引腳。
• ?HB?：高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器自舉軌引腳。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出引腳。
• ?HS?：高側(cè)MOSFET源極連接引腳。
• ?RDT?：死區(qū)時(shí)間編程引腳。
• ?EN?：使能輸入引腳，用于禁用或啟用驅(qū)動(dòng)器。
• ?IN?：柵極驅(qū)動(dòng)器邏輯輸入引腳。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出引腳。
• ?VSS?：地返回引腳。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V。
• ?靜態(tài)電流?：VDD靜態(tài)電流為0.mA至0.6mA，高側(cè)自舉靜態(tài)電流為0.mA至0.2mA。
• ?輸出特性?：LO和HO引腳的高電平輸出電壓可達(dá)VDD或HB-HO，低電平輸出電壓低至0.V至0.4V。
• ?傳播延遲?：快速關(guān)斷傳播延遲典型值為6ns。

五、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器等。
• ?設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?：需正確設(shè)計(jì)自舉電容和旁路電容，以確保高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的可靠工作。同時(shí)，應(yīng)注意布局和接地設(shè)計(jì)，以最小化噪聲和干擾。

六、布局與熱管理

• ?布局指南?：推薦使用低ESR/ESL的電容，并盡量靠近IC放置，以支持高峰值電流。高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET應(yīng)盡可能靠近柵極驅(qū)動(dòng)器放置，以減小環(huán)路電感。
• ?熱管理?：LM5采用熱增強(qiáng)型WSON封裝，有助于改善散熱性能。在設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)考慮散熱路徑和散熱片的使用。

七、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類(lèi)型?：引腳熱增強(qiáng)型WSON封裝（4mm x 4mm）。
• ?訂購(gòu)代碼?：具體訂購(gòu)代碼請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的訂購(gòu)信息部分。

八、文檔與支持

• ?數(shù)據(jù)手冊(cè)?：提供了詳細(xì)的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、應(yīng)用信息和封裝尺寸等。
• ?應(yīng)用指南?：可能包含額外的設(shè)計(jì)考慮、布局示例和故障排除技巧。
• ?社區(qū)資源?：TI提供了EE在線社區(qū)和其他支持資源，方便用戶交流問(wèn)題和經(jīng)驗(yàn)。

九、安全警示

• ?靜電放電（ESD）防護(hù)?：提醒用戶在存儲(chǔ)或處理過(guò)程中注意靜電防護(hù)，以防止損壞器件。
• ?使用注意事項(xiàng)?：用戶應(yīng)仔細(xì)閱讀數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全警示和使用注意事項(xiàng)，確保正確、安全地使用產(chǎn)品。