LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅(qū)動(dòng)，而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 （LM5100A/B/C） 或 TTL 輸入閾值 （LM5101A/B/C）。
*附件：lm5101a.pdf

提供集成高壓二極管，用于為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉充電 電容器。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行，同時(shí)功耗低，并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅(qū)動(dòng)器的 Clean Level 轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供。這些設(shè)備在 標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。

特性

• 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道
  MOSFET
• 獨(dú)立的高電平和低電平驅(qū)動(dòng)器邏輯輸入
• 自舉電源電壓高達(dá) 118 V DC
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 25ns）
• 以 8ns 的上升和下降
  時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 3ns
  ）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM1A是一款高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高端和低端N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器提供獨(dú)立的高端和低端邏輯輸入，并支持高達(dá)8V DC的自舉電源電壓。LM1A提供TTL輸入閾值，并具備A的峰值輸出電流能力。

二、主要特性

• ?高電壓能力?：高端浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)8V的電源電壓。
• ?高速性能?：具有5ns的典型傳播時(shí)間，適用于高頻應(yīng)用。
• ?獨(dú)立邏輯輸入?：高端和低端輸入均獨(dú)立控制，具有TTL輸入閾值。
• ?高峰值輸出電流?：可達(dá)A，適用于驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET。
• ?低功率消耗?：低功耗設(shè)計(jì)，適用于多種電源管理應(yīng)用。
• ?多種封裝選項(xiàng)?：提供SOIC-、SO PowerPAD-、WSON-等多種封裝形式。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ?同步降壓轉(zhuǎn)換器?
• ?半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器?
• ?固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?
• ?雙開關(guān)正向功率轉(zhuǎn)換器?
• ?帶有有源箝位的轉(zhuǎn)換器?

四、引腳配置與功能

• ?HB?：高端柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電源。
• ?HO?：高端柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
• ?HS?：高端MOSFET源極連接。
• ?LO?：低端柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
• ?VSS?：地參考。
• ?LI?：低端控制輸入。
• ?HI?：高端控制輸入。
• ?VDD?：正柵極驅(qū)動(dòng)電源。

五、電氣特性

• ?工作條件?：推薦VDD電源電壓為9V至4V，結(jié)溫范圍為-0°C至5°C。
• ?輸出特性?：具有高峰值輸出電流（3A），低輸出阻抗，適用于快速切換大功率MOSFET。
• ?傳播延遲?：具有快速的傳播時(shí)間（5ns典型值），確保高效的控制信號(hào)傳輸。
• ?欠壓鎖定?：內(nèi)置欠壓鎖定功能，保護(hù)電路免受低電壓條件的影響。

六、功能描述

• ?啟動(dòng)與欠壓鎖定?：高端和低端驅(qū)動(dòng)器均包含欠壓鎖定保護(hù)電路，確保在電源電壓穩(wěn)定后才開始工作。
• ?電平移位?：提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換，確保高效驅(qū)動(dòng)。
• ?自舉二極管?：集成自舉二極管用于生成高端偏置電壓，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
• ?輸出級(jí)?：輸出級(jí)設(shè)計(jì)具有高速率、低電阻和高峰值電流能力，確保MOSFET的快速切換。

七、應(yīng)用與實(shí)施

• ?設(shè)計(jì)信息?：提供了詳細(xì)的設(shè)計(jì)要求和步驟，包括自舉電容器和VDD電容器的選擇、外部自舉二極管和電阻的選擇、柵極驅(qū)動(dòng)器電阻的選擇等。
• ?功率耗散?：討論了柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散問題，并提供了估算方法。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)了布局中需考慮的關(guān)鍵因素，如旁路電容器的放置、MOSFET和驅(qū)動(dòng)器的接近程度等，以確保最佳性能。

八、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：提供SOIC-8、SO PowerPAD-8、WSON-0等多種封裝形式。
• ?訂購(gòu)代碼?：提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購(gòu)代碼選項(xiàng)。