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LM5100C 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-21 11:18 ? 次閱讀

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅(qū)動(dòng),而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 (LM5100A/B/C) 或 TTL 輸入閾值 (LM5101A/B/C)。
*附件:lm5100c.pdf

提供集成高壓二極管,用于為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉充電 電容器。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行,同時(shí)功耗低,并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅(qū)動(dòng)器的 Clean Level 轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供。這些設(shè)備在 標(biāo)準(zhǔn) SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。

特性

  • 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道
    MOSFET
  • 獨(dú)立的高電平和低電平驅(qū)動(dòng)器邏輯輸入
  • 自舉電源電壓高達(dá) 118 V DC
  • 快速傳播時(shí)間(典型值為 25ns)
  • 以 8ns 的上升和下降
    時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
  • 出色的傳播延遲匹配(典型值為 3ns
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

LMC 是一款高電壓、高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器提供A的峰值輸出電流,并具有獨(dú)立的高低側(cè)輸入和CMOS兼容輸入閾值。

二、主要特性

  • ?高電壓能力?:支持高達(dá)V的供電電壓。
  • ?獨(dú)立控制?:高低側(cè)輸出獨(dú)立控制,具有CMOS輸入閾值。
  • ?快速傳播時(shí)間?:典型值為ns,提供高速開關(guān)性能。
  • ?低功率消耗?:在正常工作條件下功耗較低。
  • ?欠壓鎖定保護(hù)?:高低側(cè)電源均具有欠壓鎖定功能,確保穩(wěn)定工作。
  • ?集成自舉二極管?:內(nèi)置二極管用于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電容的充電。

三、引腳配置與功能

  • ?VDD?:正電源輸入。
  • ?HB?:高側(cè)自舉電源輸入。
  • ?HS?:高側(cè)MOSFET源極連接和自舉電容負(fù)極。
  • ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出。
  • ?VSS?:負(fù)電源終端(地)。
  • ?HI?:高側(cè)輸入,控制HO輸出。
  • ?LI?:低側(cè)輸入,控制LO輸出。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB最高可達(dá)V。
  • ?輸入閾值?:CMOS兼容輸入,具體閾值詳見數(shù)據(jù)表。
  • ?輸出電流?:峰值輸出電流為A。
  • ?傳播延遲?:LO和HO的關(guān)斷和開啟傳播延遲典型值為ns至ns。
  • ?欠壓鎖定閾值?:VDD和HB的欠壓鎖定閾值和遲滯詳見數(shù)據(jù)表。

五、功能描述

  • ?欠壓鎖定?:確保在供電電壓不足時(shí)禁止輸出,保護(hù)電路免受損壞。
  • ?電平移位?:實(shí)現(xiàn)高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動(dòng)器級(jí)之間的電平轉(zhuǎn)換。
  • ?自舉二極管?:為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)提供必要的偏置電壓。
  • ?輸出階段?:具有低電阻和高轉(zhuǎn)換速率,支持高效MOSFET開關(guān)。

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器等。
  • ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?:包括自舉電容和VDD電容的選擇、柵極驅(qū)動(dòng)電阻的選取以及布局考慮等。
  • ?功耗估計(jì)?:提供了估算驅(qū)動(dòng)器功耗的方法和公式。

七、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:提供多種封裝選項(xiàng),如SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
  • ?訂購代碼?:詳細(xì)列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼。

八、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:提供了應(yīng)用筆記、熱指標(biāo)應(yīng)用報(bào)告等文檔的鏈接。
  • ?社區(qū)資源?:鏈接到TI的EE在線社區(qū),用戶可以在此獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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