LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，旨在驅(qū)動(dòng)高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這 浮動(dòng)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過(guò) TTL 兼容輸入閾值獨(dú)立控制。集成的片上高壓 提供二極管來(lái)為高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容器充電。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器 技術(shù)高速運(yùn)行，同時(shí)功耗低，并提供干凈的電平轉(zhuǎn)換 從控制輸入邏輯到高端柵極驅(qū)動(dòng)器。兩者均提供欠壓鎖定 低側(cè)和高側(cè)電源軌。該器件采用 SOIC 和 thermal 兩種封裝 增強(qiáng)的 WSON 程序包。
*附件：lm5107.pdf

特性

• 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET
• 高峰值輸出電流（1.4A 灌電流 / 1.3A 拉電流）
• 獨(dú)立的 TTL 兼容輸入
• 集成自舉二極管
• 自舉電源電壓至 118 V DC
• 快速傳播時(shí)間（典型值為 27ns）
• 以 15ns 的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 2ns）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 引腳與 ISL6700 兼容
• 包：
  • SOIC的
  • WSON（4 毫米× 4 毫米）

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM7是一款低成本的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高端和低端N溝道MOSFET。

二、主要特性

• ?雙端驅(qū)動(dòng)?：能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET。
• ?高峰值輸出電流?：高達(dá).A的灌電流和.A的源電流。
• ?獨(dú)立TTL兼容輸入?：高端和低端控制輸入均兼容TTL電平。
• ?集成自舉二極管?：提供集成的高壓二極管，用于為高端柵極驅(qū)動(dòng)自舉電容器充電。
• ?寬電源電壓范圍?：支持高達(dá)V DC的自舉電源電壓。
• ?快速傳播時(shí)間?：典型值為7ns。
• ?低功耗?：具備欠壓鎖定功能，以降低功耗。
• ?引腳兼容?：與ISL引腳兼容。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 電流饋電推挽轉(zhuǎn)換器
• 半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器
• 固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 雙開關(guān)正向功率轉(zhuǎn)換器

四、引腳配置與功能

• ?VDD?：正柵極驅(qū)動(dòng)電源，需使用低ESR/ESL電容器在IC附近與VSS去耦。
• ?HI?：高端控制輸入，兼容TTL輸入閾值。
• ?LI?：低端控制輸入，兼容TTL輸入閾值。
• ?VSS?：地參考，所有信號(hào)均以此地為參考。
• ?LO?：低端柵極驅(qū)動(dòng)器輸出，連接至低端N-MOS設(shè)備的柵極。
• ?HS?：高端源連接，連接至自舉電容器的負(fù)端和高端N-MOS設(shè)備的源極。
• ?HO?：高端柵極驅(qū)動(dòng)器輸出，連接至高端N-MOS設(shè)備的柵極。
• ?HB?：高端柵極驅(qū)動(dòng)器正電源軌，連接自舉電容器的正端。

五、電氣特性

• ?工作條件?：推薦電源電壓VDD為8V至4V，結(jié)溫范圍為-0°C至5°C。
• ?輸出特性?：在0pF負(fù)載下，具有ns的上升和下降時(shí)間。
• ?傳播延遲?：上下端開啟和關(guān)閉傳播延遲的典型值為7ns至6ns。
• ?欠壓鎖定?：具有欠壓鎖定功能和滯回特性，以保護(hù)電路免受低電壓條件的影響。

六、功能描述

• ?啟動(dòng)與欠壓鎖定?：高端和低端驅(qū)動(dòng)器均包含欠壓鎖定保護(hù)電路，獨(dú)立監(jiān)測(cè)電源電壓和自舉電容器電壓。
• ?電平移位?：電平移位電路是高端輸入到高端驅(qū)動(dòng)器階段的接口，提供與低端驅(qū)動(dòng)器良好的延遲匹配。
• ?自舉二極管?：集成自舉二極管用于生成高端偏置電壓，具有高恢復(fù)速度、低二極管電阻和電壓額定裕量。
• ?輸出級(jí)?：輸出級(jí)具有高速率、低電阻和高峰值電流能力，允許高效切換功率MOSFET。

七、應(yīng)用與實(shí)施

• ?設(shè)計(jì)信息?：提供了詳細(xì)的設(shè)計(jì)要求和步驟，包括選擇自舉和VDD電容器、外部自舉二極管和電阻、柵極驅(qū)動(dòng)器電阻等。
• ?功率耗散?：討論了柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散，包括直流部分和開關(guān)部分。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)了布局中需考慮的關(guān)鍵因素，以確保高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)器的最佳性能。

八、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：提供SOIC和WSON（mm x mm）封裝選項(xiàng)。
• ?訂購(gòu)代碼?：提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購(gòu)代碼選項(xiàng)。