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LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-21 11:03 ? 次閱讀

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動 采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達 100 V 的電源電壓下工作。The A 版本提供完整的 3A 柵極驅(qū)動,而 B 和 C 版本提供 2 A 和 1A、 分別。輸出由 CMOS 輸入閾值 (LM5100A/B/C) 或 TTL 輸入閾值 (LM5101A/B/C)。

提供集成高壓二極管,用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉充電 電容器。堅固的電平轉(zhuǎn)換器以高速運行,同時功耗低,并提供 從 Control Logic 到 Highside 柵極驅(qū)動器的 Clean Level 轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供。這些設(shè)備在 標準 SOIC-8 引腳、SO PowerPAD-8 引腳和 WSON-10 引腳封裝。LM5100C 和 LM5101C 是 還提供 MSOP-PowerPAD-8 封裝。LM5101A 還提供 WSON-8 引腳 包。
*附件:lm5101b.pdf

特性

  • 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道
    MOSFET
  • 獨立的高電平和低電平驅(qū)動器邏輯輸入
  • 自舉電源電壓高達 118 V DC
  • 快速傳播時間(典型值為 25ns)
  • 以 8ns 的上升和下降
    時間驅(qū)動 1000pF 負載
  • 出色的傳播延遲匹配(典型值為 3ns
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 引腳兼容 HIP2100/HIP2101

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

LMB 是一款高電壓、高速半橋N溝道MOSFET驅(qū)動器,提供A的柵極驅(qū)動電流。該驅(qū)動器適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用,具有獨立的高低側(cè)輸入和TTL兼容輸入閾值。

二、主要特性

  • ?高電壓能力?:支持高達V的自舉供電電壓。
  • ?高速性能?:傳播時間典型值為ns,具有優(yōu)秀的延遲匹配。
  • ?獨立輸入?:高低側(cè)驅(qū)動器具有獨立輸入,TTL兼容閾值。
  • ?高驅(qū)動能力?:提供A的峰值輸出電流。
  • ?低功耗?:在輕載條件下具有較低的靜態(tài)電流。
  • ?欠壓鎖定保護?:高低側(cè)電源均具有欠壓鎖定保護功能。
  • ?集成自舉二極管?:內(nèi)置高電壓二極管,用于高側(cè)柵極驅(qū)動電容的充電。

三、引腳配置與功能

  • ?VDD?:正電源輸入,為低側(cè)驅(qū)動器供電。
  • ?HB?:高側(cè)自舉電源輸入,連接自舉電容的正極。
  • ?HS?:高側(cè)源連接,連接高側(cè)MOSFET的源極和自舉電容的負極。
  • ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出,連接高側(cè)MOSFET的柵極。
  • ?LI?:低側(cè)輸入,控制低側(cè)柵極驅(qū)動器的輸出。
  • ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出,連接低側(cè)MOSFET的柵極。
  • ?VSS?:負電源終端,通常接地。
  • ?HI?:高側(cè)輸入,控制高側(cè)柵極驅(qū)動器的輸出。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB最高可達V。
  • ?輸入閾值?:TTL兼容輸入,高電平輸入閾值典型值為.V至.V,低電平輸入閾值典型值為.V至.V。
  • ?輸出特性?:低電平輸出電壓(VOL/LOL)和高電平輸出電壓(VOH/HOH)分別取決于VDD和VHB。
  • ?傳播延遲?:典型值為ns至ns。
  • ?欠壓鎖定閾值?:VDD UVLO閾值典型值為.V,具有.V遲滯;HB UVLO閾值典型值為.V,具有.V遲滯。

五、功能描述

  • ?欠壓鎖定?:高低側(cè)電源均具有獨立的欠壓鎖定保護,確保在供電電壓不足時禁止輸出。
  • ?電平移位?:高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動器級之間的電平移位電路,實現(xiàn)與高側(cè)MOSFET的有效接口。
  • ?自舉二極管?:內(nèi)置高電壓二極管,用于為高側(cè)柵極驅(qū)動電容充電。
  • ?輸出階段?:高轉(zhuǎn)換速率、低電阻的輸出驅(qū)動器,支持高效MOSFET開關(guān)。

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、兩開關(guān)正向轉(zhuǎn)換器以及有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器等。
  • ?設(shè)計考慮?:包括自舉電容和VDD電容的選擇、外部自舉二極管和電阻的考慮、柵極驅(qū)動電阻的選擇以及驅(qū)動器功耗的估計等。
  • ?布局指南?:強調(diào)了驅(qū)動器IC和被動元件的布局原則,以減少寄生電感和提高電路性能。

七、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:提供多種封裝選項,包括SOIC、PowerPAD SOIC、WSON等。
  • ?訂購信息?:詳細列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼,以及相關(guān)的封裝尺寸和帶卷信息。

八、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:提供了應(yīng)用筆記、熱指標應(yīng)用報告等相關(guān)文檔的鏈接。
  • ?支持資源?:鏈接到TI的EE在線支持論壇,用戶可以在此獲取技術(shù)支持和設(shè)計幫助。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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