LM5109B-Q1 是一款高性價比的高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET，采用同步降壓或半橋配置。 浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達 90 V 的電源軌電壓下工作。輸出為 通過 TTL/CMOS 兼容邏輯輸入閾值獨立控制。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換 技術高速運行，同時功耗低，并提供干凈的電平轉(zhuǎn)換 從控制輸入邏輯到高端柵極驅(qū)動器。提供欠壓鎖定 低側(cè)和高側(cè)電源軌。該器件采用熱增強型 WSON（8） 軟件包。
*附件：lm5109b-q1.pdf

特性

• 適用于汽車應用
• 符合 AEC-Q100 標準，結(jié)果如下
  • 設備溫度 1 級
  • 器件 HBM ESD 分類等級 1C
  • 器件 CDM ESD 分類等級 C4A
• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道
  MOSFET
• 1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流/1.0A
  拉電流）
• 獨立的 TTL/CMOS 兼容輸入
• 自舉電源電壓至 108V DC
• 快速傳播時間（典型值為 30 ns）
• 以 15ns 的上升和下降
  時間驅(qū)動 1000pF 負載
• 出色的傳播延遲匹配（典型值為 2 ns
  ）
• 電源軌欠壓鎖定
• 低功耗
• 熱增強型 WSON-8 封裝

參數(shù)

方框圖

概述

LM9B-Q1是一款高壓、1A峰值輸出的半橋柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動同步降壓轉(zhuǎn)換器或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動器具有AEC-Q0汽車級認證，適用于-0°C至5°C的工作溫度范圍，并支持高達0V的浮動高側(cè)驅(qū)動。

主要特性

• ?AEC-Q認證?：符合汽車級應用標準。
• ?高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動?：支持獨立控制的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。
• ?高壓能力?：高側(cè)浮動電壓可達0V，VDD電壓范圍為8V至4V。
• ?高輸出電流?：A峰值源電流和A峰值灌電流。
• ?快速傳播時間?：典型值為0ns，確保高效開關性能。
• ?低功耗?：具有低功耗模式和UVLO（欠壓鎖定）保護功能。
• ?熱增強封裝?：采用熱增強型WSON-8封裝，提高散熱性能。
• ?TTL/CMOS兼容輸入?：方便與數(shù)字控制器接口。

功能描述

啟動與UVLO保護

• LMB-Q具有獨立的頂部和底部驅(qū)動UVLO保護電路，分別監(jiān)測VDD和HB-HS電壓。
• 當VDD或HB-HS電壓低于UVLO閾值時，輸出被抑制，以防止MOSFET誤導通。

電平移位

• 內(nèi)置的魯棒電平移位技術能夠在高速下工作，同時消耗低功率，并提供從控制邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。

輸出階段

• 高側(cè)和低側(cè)輸出階段均具有高速度、低電阻和高峰值電流能力，以實現(xiàn)高效的MOSFET開關。

應用領域

• 同步降壓轉(zhuǎn)換器
• 半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器
• 固態(tài)電機驅(qū)動器
• 兩開關正向功率轉(zhuǎn)換器

設計指南

布局建議

• 在VDD和GND引腳之間放置低ESR/ESL陶瓷旁路電容，以減小電源噪聲。
• 將柵極驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET放置，以減小環(huán)路面積和寄生電感。
• 注意高電流路徑的布局，包括自舉電容、自舉二極管和本地GND參考旁路電容。

組件選擇

• 選擇具有高電壓額定值的外部自舉二極管和旁路電容。
• 根據(jù)應用需求選擇合適的柵極驅(qū)動電阻，以平衡開關速度和功率損耗。

功耗估算

• 考慮靜態(tài)功耗、電平移位器損耗、動態(tài)損耗等因素，估算柵極驅(qū)動器的總功耗。
• 使用熱阻參數(shù)估算結(jié)溫，確保在允許的工作溫度范圍內(nèi)。