UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允許在半橋、全橋、雙開(kāi)關(guān)正激和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn) N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器由獨(dú)立控制，并在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 1ns。
*附件：ucc27200-q1.pdf

片上自舉二極管消除了外部分立二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均提供欠壓鎖定，如果驅(qū)動(dòng)電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪性 CMOS 輸入閾值。

該器件采用 8 引腳 SO PowerPAD? （DDA） 封裝。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)應(yīng)用：器件溫度等級(jí) 1
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• 在高壓側(cè)和低壓側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 最大啟動(dòng)電壓：120V
• 最大 VDD 電壓：20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自舉二極管
• 22ns 傳播延遲時(shí)間
• 3A 灌電流、3A 拉電流輸出電流
• 1000pF 負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間 7ns 下降時(shí)間
• 1ns 延遲匹配

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

1. 基本信息

• ?產(chǎn)品名稱(chēng)?：UCC0-Q
• ?類(lèi)型?：V, A/3A半橋驅(qū)動(dòng)器
• ?應(yīng)用?：汽車(chē)DC/DC轉(zhuǎn)換器、OBC、電動(dòng)車(chē)牽引驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、無(wú)線(xiàn)充電、智能玻璃模塊等

2. 主要特點(diǎn)

• ?AEC-Q認(rèn)證?：適用于汽車(chē)應(yīng)用
• ?高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)?：獨(dú)立輸入，支持半橋、全橋等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
• ?內(nèi)部自舉二極管?：最大自舉電壓0V，減少外部元件
• ?高電流能力?：源電流和沉電流均為A
• ?快速響應(yīng)?：ns傳播延遲，8ns上升時(shí)間，ns下降時(shí)間
• ?高噪聲免疫?：CMOS輸入閾值，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性

二、引腳配置與功能

1. 引腳配置

• ?VDD?：低側(cè)驅(qū)動(dòng)電源正端
• ?HB?：高側(cè)自舉電源輸入
• ?HO?：高側(cè)驅(qū)動(dòng)輸出
• ?HS?：高側(cè)源連接
• ?HI?：高側(cè)輸入
• ?LI?：低側(cè)輸入
• ?LO?：低側(cè)驅(qū)動(dòng)輸出
• ?VSS?：負(fù)電源端，通常接地
• ?PowerPAD?：熱增強(qiáng)焊盤(pán)，電連接到VSS

2. 功能描述

• ?VDD?：為低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路供電
• ?HB?：通過(guò)自舉電容為高側(cè)驅(qū)動(dòng)電路提供電源
• ?HI/LI?：控制高側(cè)和低側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)
• ?HO/LO?：分別驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)MOSFET的柵極
• ?PowerPAD?：提高散熱性能，確保長(zhǎng)期可靠性

三、電氣特性

1. 靜態(tài)特性

• ?工作電壓范圍?：VDD為V至V，HB最大0V
• ?輸入閾值?：高電平閾值約6V，低電平閾值約.V
• ?輸出電壓范圍?：LO和HO輸出分別相對(duì)于VSS和HS，可在一定范圍內(nèi)調(diào)整

2. 動(dòng)態(tài)特性

• ?傳播延遲?：典型值為ns
• ?上升/下降時(shí)間?：典型值分別為ns和7ns（負(fù)載pF）
• ?輸出電流?：峰值源電流和沉電流均為A

3. 保護(hù)特性

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：VDD和HB電壓低于閾值時(shí)，輸出強(qiáng)制為低電平

四、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

1. 應(yīng)用信息

• 適用于需要快速、可靠開(kāi)關(guān)MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景，特別是在高噪聲環(huán)境中

2. 典型應(yīng)用

• 提供了在半橋配置中驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET的典型應(yīng)用電路圖

3. 設(shè)計(jì)要求

• 在選擇和設(shè)計(jì)電路時(shí)，需考慮輸入閾值、電源電壓、輸出電流、傳播延遲、PCB布局和散熱等因素

五、布局與熱考慮

1. 布局指南

• ?驅(qū)動(dòng)靠近MOSFET?：減少寄生電感和噪聲
• ?旁路電容?：在VDD和HB引腳附近放置旁路電容，減少高頻噪聲
• ?地平面?：使用地平面提供噪聲屏蔽和散熱路徑

2. 熱考慮

• ?熱阻?：提供了不同封裝下的熱阻信息，幫助計(jì)算結(jié)溫
• ?散熱設(shè)計(jì)?：推薦使用PowerPAD封裝，并結(jié)合PCB上的熱過(guò)孔和散熱片，提高散熱性能

六、封裝與訂購(gòu)信息

1. 封裝選項(xiàng)

• ? SO PowerPAD (DDA) ?：引腳熱增強(qiáng)型封裝，適合高功率密度應(yīng)用

2. 訂購(gòu)信息

• 提供了訂購(gòu)信息，包括狀態(tài)、材料類(lèi)型、封裝尺寸、載帶和卷盤(pán)信息、RoHS狀態(tài)等