UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允許在半橋、全橋、雙開關(guān)正激和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中進(jìn)行 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動器由獨(dú)立控制，并在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配 1ns。
*附件：ucc27201.pdf

片上自舉二極管消除了外部分立二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器均提供欠壓鎖定，如果驅(qū)動電壓低于指定閾值，則強(qiáng)制輸出為低電平。

UCC2720x 提供兩個版本。UCC27200 具有高抗噪 CMOS 輸入閾值，而 UCC27201 具有 TTL 兼容閾值。

特性

• 在高壓側(cè)和低壓側(cè)配置中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET
• HS 上的負(fù)電壓處理 （–5V）
• 最大啟動電壓為 120V
• 最大 VDD 電壓為 20V
• 片上 0.65V VF、0.65Ω RD 自舉二極管
• 22ns 傳播延遲時間
• 3A 灌電流和 3A 拉電流輸出電流
• 1000pF 負(fù)載時，上升時間 7ns 下降時間
• 1ns 延遲匹配
• 用于高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定
• 額定溫度范圍為 –40°C 至 150°C

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

UCC1 是一款 0V、A/3A 半橋驅(qū)動器，適用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。該驅(qū)動器具備高噪聲免疫 CMOS 輸入閾值（UCC0 版本提供 TTL 兼容閾值）、V UVLO（欠壓鎖定）保護(hù)、獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)輸入以及快速傳播延遲等特性，適用于太陽能電源優(yōu)化器、微逆變器、電信和商用電源、在線和離線 UPS、儲能系統(tǒng)以及電池測試設(shè)備等應(yīng)用。

二、主要特性

• ?高電壓處理能力?：最大自舉電壓 0V，最大 VDD 電壓 0V。
• ?高電流驅(qū)動能力?：3A 沉電流和 A 源電流輸出。
• ?快速響應(yīng)?：ns 傳播延遲，ns 上升時間和 ns 下降時間（0pF 負(fù)載）。
• ?獨(dú)立輸入控制?：高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器具有獨(dú)立輸入，實(shí)現(xiàn)最大控制靈活性。
• ?負(fù)電壓處理能力?：HS 引腳可處理 -V 負(fù)電壓。
• ?熱增強(qiáng)型封裝?：提供 SOIC、PowerPAD SOIC 和 VSON 封裝選項(xiàng)。

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正電源輸入，為低側(cè)柵極驅(qū)動器供電。
• ?VSS?：負(fù)電源終端，通常接地。
• ?HB?：高側(cè)自舉電源輸入，連接自舉電容的正極。
• ?HS?：高側(cè)源連接，連接高側(cè) MOSFET 的源極和自舉電容的負(fù)極。
• ?HO?：高側(cè)柵極驅(qū)動器輸出，連接高側(cè) MOSFET 的柵極。
• ?LI?：低側(cè)輸入，控制低側(cè)柵極驅(qū)動器的輸出。
• ?LO?：低側(cè)柵極驅(qū)動器輸出，連接低側(cè) MOSFET 的柵極。
• ?HI?：高側(cè)輸入，控制高側(cè)柵極驅(qū)動器的輸出。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VDD 為 8V 至 V，HB 為 VS 至 VDD + V。
• ?輸入閾值?：UCC1 具有 TTL 兼容閾值，高電平輸入閾值（VHIT）為 1.9V 至 2.7V，低電平輸入閾值（VLIT）為 .V 至 .V。
• ?輸出特性?：低電平輸出電壓（VOL/LOL）和高電平輸出電壓（VOH/HOH）分別為 .V 至 .V 和 VHB - 0.1V 至 VHB - .2V。
• ?傳播延遲?：典型值為 2ns。
• ?UVLO 閾值?：VDD UVLO 閾值為 7.1V，具有 .V 遲滯；HB UVLO 閾值為 6.7V，具有 .V 遲滯。

五、功能描述

• ?輸入階段?：提供與 PWM 輸出信號的接口，具有高阻抗輸入和寬滯回特性。
• ?UVLO 保護(hù)?：監(jiān)測 VDD 和 HB 至 HS 差分電壓，確保在供電電壓不足時禁止輸出。
• ?電平移位?：高側(cè)輸入與高側(cè)驅(qū)動器級之間的電平移位電路，實(shí)現(xiàn)與高側(cè) MOSFET 的有效接口。
• ?自舉二極管?：內(nèi)置 .5V VF、0.Ω RD 自舉二極管，消除外部離散二極管需求。
• ?輸出階段?：高轉(zhuǎn)換速率、低電阻和高峰值電流能力的輸出驅(qū)動器，實(shí)現(xiàn)高效 MOSFET 開關(guān)。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：適用于半橋、全橋、兩開關(guān)正向和有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括輸入閾值類型選擇、VDD 偏置電源電壓、峰值源和沉電流、傳播延遲和功率耗散等方面的設(shè)計(jì)要求。
• ?布局指南?：強(qiáng)調(diào)驅(qū)動器應(yīng)盡可能靠近 MOSFET 放置，以減少寄生電感并提高電路性能。

七、封裝與訂購信息

• ?封裝類型?：提供 SOIC、PowerPAD SOIC 和 VSON 封裝選項(xiàng)。
• ?訂購信息?：詳細(xì)列出了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼，以及相關(guān)的封裝尺寸和帶卷信息。