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LM5106系列 具有 8V-UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.2A、1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-21 13:52 ? 次閱讀

LM5106 是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓或半橋配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè) 驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá) 100V 的電源軌電壓下工作。單控制輸入兼容 具有 TTL 信號電平和單個(gè)外部電阻器來設(shè)置開關(guān)轉(zhuǎn)換死區(qū)時(shí)間 通過緊密匹配的導(dǎo)通延遲電路。強(qiáng)大的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)在高 速度,同時(shí)功耗低,并提供干凈的輸出轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 當(dāng)?shù)蛡?cè)或自舉高側(cè)電源電壓 低于運(yùn)行閾值。LM5106 采用 VSSOP-10 或熱增強(qiáng)型 10 引腳封裝 WSON 塑料封裝。
*附件:lm5106.pdf

特性

  • 驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道
    MOSFET
  • 1.8A 峰值輸出灌電流
  • 1.2A 峰值輸出源電流
  • 自舉電源電壓范圍高達(dá) 118V DC
  • 單 TTL 兼容輸入
  • 編程導(dǎo)通延遲 (死區(qū)時(shí)間)
  • 啟用輸入引腳
  • 快速關(guān)斷傳播延遲(典型值為 32 ns)
  • 以 15ns 的上升時(shí)間和 10ns 的下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1000pF
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • WSON-10(4 mm × 4 mm)和 VSSOP-10 封裝

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

LM6是一款高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,適用于同步降壓或半橋配置。該驅(qū)動(dòng)器具有可編程死區(qū)時(shí)間、低功耗、高電壓自舉能力和欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)功能。

二、主要特性

  • ?高電壓能力?:支持高達(dá)V的電源電壓。
  • ?可編程死區(qū)時(shí)間?:通過外部電阻設(shè)置死區(qū)時(shí)間,優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)信號時(shí)序。
  • ?低功耗?:在禁用狀態(tài)下具有較低的待機(jī)功耗。
  • ?高速響應(yīng)?:具有快速的關(guān)斷傳播延遲(典型值為ns)。
  • ?UVLO保護(hù)?:在電源電壓或自舉電壓低于閾值時(shí)禁用柵極驅(qū)動(dòng)輸出。
  • ?單輸入控制?:通過單個(gè)TTL兼容輸入控制高側(cè)和低側(cè)MOSFET的開關(guān)。

三、引腳配置與功能

  • ?VDD?:正柵極驅(qū)動(dòng)電源引腳。
  • ?HB?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器自舉電源引腳。
  • ?HO?:高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出引腳。
  • ?HS?:高側(cè)MOSFET源極引腳。
  • ?IN?:柵極驅(qū)動(dòng)器邏輯輸入引腳。
  • ?EN?:使能輸入引腳,TTL兼容,帶滯回。
  • ?LO?:低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出引腳。
  • ?VSS?:地返回引腳,所有信號均參考此地。
  • ?RDT?:死區(qū)時(shí)間編程引腳,通過連接電阻到VSS設(shè)置死區(qū)時(shí)間。
  • ?NC?:未連接引腳。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VDD為V至V,HB為HS+8V至HS+4V。
  • ?輸入閾值?:IN和EN引腳的低電平輸入電壓閾值為0.8V至.V,高電平輸入電壓閾值為.V至2.2V。
  • ?輸出電流?:LO和HO引腳的峰值拉電流和灌電流均為1.2A和.A。
  • ?傳播延遲?:LO和HO引腳的關(guān)斷和開啟傳播延遲典型值為2ns至6ns。
  • ?死區(qū)時(shí)間?:可通過RDT引腳上的電阻調(diào)節(jié),范圍從ns至0ns。

五、功能描述

  • ?啟動(dòng)與UVLO保護(hù)?:在VDD或HB電壓低于UVLO閾值時(shí),驅(qū)動(dòng)器禁用輸出,防止MOSFET誤動(dòng)作。
  • ?可編程死區(qū)時(shí)間?:通過RDT引腳上的外部電阻設(shè)置死區(qū)時(shí)間,優(yōu)化驅(qū)動(dòng)信號時(shí)序,減少M(fèi)OSFET間的穿透電流。
  • ?使能控制?:EN引腳允許通過外部信號啟用或禁用驅(qū)動(dòng)器。
  • ?高速響應(yīng)?:快速的關(guān)斷和開啟傳播延遲,適合高頻應(yīng)用。

六、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:適用于固態(tài)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、半橋和全橋功率轉(zhuǎn)換器、雙開關(guān)正向功率轉(zhuǎn)換器等。
  • ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?:包括自舉電容和VDD旁路電容的選擇、柵極驅(qū)動(dòng)電阻的選取、布局和接地考慮等。
  • ?應(yīng)用曲線?:提供了不同條件下的輸出特性曲線,幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化電路性能。

七、封裝與訂購信息

  • ?封裝類型?:提供0引腳VSSOP和WSON封裝選項(xiàng)。
  • ?訂購代碼?:提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購代碼選項(xiàng)。

八、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:提供了數(shù)據(jù)手冊、應(yīng)用筆記和其他相關(guān)文檔的鏈接。
  • ?社區(qū)資源?:鏈接到TI的支持社區(qū),用戶可以在此獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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