概述
HMC-XDB112是一款單芯片無(wú)源倍頻器，采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù)，適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經(jīng)濟(jì)的大規(guī)模應(yīng)用。 所有焊盤(pán)和芯片背面都經(jīng)過(guò)Ti/Au金屬化，HBT器件已完全鈍化以實(shí)現(xiàn)可靠操作。

HMC-XDB112無(wú)源倍頻器MMIC可兼容常規(guī)的芯片貼裝方法，以及熱壓縮和熱超聲線焊，非常適合MCM和混合微電路應(yīng)用。 此處顯示的所有數(shù)據(jù)均是芯片在50 Ohm環(huán)境下使用RF探頭接觸測(cè)得。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC-XDB112 x2無(wú)源倍頻器芯片，20-30GHz輸出技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
• VSAT
• 測(cè)試儀器儀表
• 軍事和太空
• 時(shí)鐘發(fā)生

特性

• 轉(zhuǎn)換損耗： 13 dB
• 無(wú)源： 無(wú)需直流偏置
• 輸入驅(qū)動(dòng)： +13 dBm
• 高Fo隔離： 30 dB
• 裸片尺寸： 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

框圖

焊盤(pán)描述

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝與鍵合技術(shù)

芯片應(yīng)使用導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂（參見(jiàn)HMC通用操作、安裝、鍵合說(shuō)明）直接連接到接地層，或者與接地層實(shí)現(xiàn)電連接。建議使用0.127mm（5密耳）厚的氧化鋁薄膜微帶線傳輸線來(lái)傳輸50Ω射頻信號(hào)，并將其連接到芯片（圖1）。如果必須使用0.254mm（10密耳）厚的氧化鋁薄膜襯底，芯片應(yīng)抬高0.150mm（6密耳），使芯片表面與襯底表面齊平。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的一種方法是將0.120mm（4密耳）厚的芯片連接到0.150mm（6密耳）厚的鉬墊片（熱沉片）上，然后將其連接到接地層（圖2）。

微帶線應(yīng)盡可能靠近芯片放置，以盡量減少鍵合線長(zhǎng)度。典型的芯片與襯底間距為0.076mm至0.152mm（3至6密耳）。

操作注意事項(xiàng)

遵循以下預(yù)防措施，避免造成永久性損壞。

• 存儲(chǔ) ：所有芯片均應(yīng)放置在防靜電華夫盒或凝膠基防靜電容器中，然后密封在防靜電袋中運(yùn)輸。防靜電袋一旦開(kāi)封，所有芯片應(yīng)存放在干燥的氮?dú)猸h(huán)境中。
• 清潔度 ：在清潔環(huán)境中操作芯片。請(qǐng)勿嘗試使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感性 ：遵循防靜電措施，防止靜電沖擊。
• 瞬態(tài) ：施加偏置時(shí)，抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)。使用屏蔽信號(hào)和偏置電纜，以盡量減少電感耦合。
• 一般操作 ：使用真空吸筆或鋒利的彎頭鑷子夾持芯片邊緣。芯片表面可能有脆弱的空氣橋，請(qǐng)勿用真空吸筆、鑷子或手指觸碰。

安裝

芯片背面有金屬化層，可以使用金錫共晶預(yù)制件或?qū)щ姯h(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行芯片安裝。安裝時(shí)芯片應(yīng)保持清潔和平整。

• 共晶焊接 ：建議使用80/20金錫預(yù)制件，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。使用90/10氮?dú)?氫氣混合氣體時(shí)，工具尖端溫度不得超過(guò)290°C。芯片溫度達(dá)到320°C以上時(shí)，請(qǐng)勿擦拭芯片。連接時(shí)間不應(yīng)超過(guò)3秒。
• 環(huán)氧樹(shù)脂粘貼 ：在安裝表面涂抹適量環(huán)氧樹(shù)脂，確保芯片放置到位后，其周邊出現(xiàn)一圈薄的環(huán)氧樹(shù)脂邊。按照制造商的固化時(shí)間表固化環(huán)氧樹(shù)脂。

引線鍵合

建議使用0.003英寸×0.0005英寸的帶狀射頻鍵合線。這些鍵合線應(yīng)采用熱超聲鍵合，鍵合力為40 - 60克。建議使用DC鍵合線，直徑0.001英寸（0.025毫米），采用熱超聲鍵合。建議使用球鍵合，鍵合力為40 - 50克，楔形鍵合，鍵合力為18 - 22克。所有鍵合應(yīng)在150°C的標(biāo)稱階段溫度下進(jìn)行。為實(shí)現(xiàn)可靠鍵合，應(yīng)施加最小12微秒的能量，所有鍵合長(zhǎng)度應(yīng)盡可能短，小于12密耳（0.31毫米）。