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標簽 > GaAs
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HMC871LC5 EA光學調制器驅動器,采用SMT封裝,DC-20GHz技術手冊
HMC871LC5是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驅動器放大器,采用無引腳5x5mm表貼封裝。 該放大器工作頻率范圍為DC至20 GHz,提供...
HMC870LC5 MZ光學調制器驅動器,采用SMT封裝,DC-20GHz技術手冊
HMC870LC5是一款GaAs MMIC pHEMT分布式驅動器放大器,采用無引腳5x5 mm表貼封裝,工作頻率范圍為DC至20 GHz。 該放大器提...
HMC739LP4/739LP4E具有半頻輸出和16分頻的MMIC VCO,23.8-26.8GHz技術手冊
HMC739是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負電阻器件、變容二極管和16分頻預分頻器。 由...
HMC738LP4/738LP4E具有半頻輸出和16分頻的MMIC VCO,20.9-23.9GHz技術手冊
HMC738是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負電阻器件、變容二極管和16分頻預分頻器。 由...
HMC737LP4/737LP4E具有半頻輸出的MMIC VCO,14.9-15.5GHz技術手冊
HMC737是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負電阻器件、變容二極管,并具有半頻輸出。 由于...
HMC736LP4/736LP4E具有半頻輸出的MMIC VCO,14.5-15.0GHz技術手冊
HMC736是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負電阻器件、變容二極管,并具有半頻輸出。 由于...
HMC735LP5/735LP5E具有4分頻功能的VCO,10.5-12.2GHz技術手冊
HMC735是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負電阻器件、變容二極管,并具有4分頻頻率輸出。...
HMC734LP5/734LP5E具有4分頻功能的VCO,8.6-10.2GHz技術手冊
HMC734是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負電阻器件、變容二極管,并具有4分頻頻率輸出。...
HMC732LC4B集成緩沖放大器SMT的寬帶VCO SMT,6-12GHz技術手冊
THMC732LC4B是一款寬帶GaAs InGaP HBT MMIC壓控振蕩器,集成諧振器、負電阻器件和變容二極管。 由于該振蕩器采用單芯片結構,因此...
HMC632LP5/632LP5E MMIC VCO,帶半頻輸出技術手冊
HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成諧振器、負電阻器件、變容...
TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應晶體管規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-17 標簽:場效應晶體管GaAs 108 0
MAAL_010528高性能X波段GaAs LNA規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-19 標簽:LNAGaAs 290 0
類別:IC datasheet pdf 2023-07-06 標簽:LNAGaAs噪聲放大器 357 0
MAAL-010528高性能X波段GaAs LNA規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-04 標簽:LNAGaAs 316 0
HMC742ALP5E 0.5dB LSB GaAs MMIC 6位數字可變增益放大器,采用SMT封裝技術手冊
HMC742A是一款數字控制可變增益放大器,工作頻率范圍為70 MHz至4 GHz,可通過編程提供-19.5 dB衰減至12 dB增益,步進為0.5 d...
聚燦光電宣布擴建Mini/Micro LED芯片研發及制造項目
3月6日,聚燦光電發布公告,宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發及制造擴建項目”的部分募集資金(共計8億元)用途,用于新項目“年產240萬片...
影響二極管開關速度的主要因素是什么? 二極管開關是電子設備領域中不可或缺的一種元件,它具有快速切換衰減電壓的特性。二極管開關速度影響了整個電路的性能,包...
GaAs基VCSEL已廣泛應用于三維成像、無人駕駛、物聯網、數據通訊等領域,同時在光電對抗、激光雷達、航空航天等高精尖領域也發揮著巨大的作用和潛能。
軍備芯片和商用芯片的區別 芯片14nm對比5nm差距在哪里?
其實就目前的情況(截止2022年)而言,現實和他們想的相反,在很多軍工領域,我國現役軍備里的芯片反而比美帝要先進,實際情況大概率是美國戰斗機用90nm芯...
淺析Tower硅光子平臺結合光纖與硅芯片連接技術及量子點激光器
Bump-ready晶圓將Tower的PH18硅光子技術與允許同時將大量光纖連接到芯片的功能相結合——顯著簡化了組裝成用于數據中心和電信網絡的最終高速數...
HMC624A是一款6位數字衰減器,以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定頻率范圍內...
為了實現更高的工作頻率和更低的功耗,硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術在21 世紀初得到較為廣泛的研究。
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