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HMC-XDB112 x2無源倍頻器芯片,20 - 30 GHz輸出

數據:

優勢和特點

  • 轉換損耗: 13 dB
  • 無源: 無需直流偏置
  • 輸入驅動: +13 dBm
  • 高Fo隔離: 30 dB
  • 裸片尺寸: 2.2 x 0.65 x 0.1 mm

產品詳情

HMC-XDB112是一款單芯片無源倍頻器,采用GaAs異質結雙極性晶體管(HBT)技術,適用于低頻率倍頻比直接生成高頻率更加經濟的大規模應用。 所有焊盤和芯片背面都經過Ti/Au金屬化,HBT器件已完全鈍化以實現可靠操作。

HMC-XDB112無源倍頻器MMIC可兼容常規的芯片貼裝方法,以及熱壓縮和熱超聲線焊,非常適合MCM和混合微電路應用。 此處顯示的所有數據均是芯片在50 Ohm環境下使用RF探頭接觸測得。

應用

  • 點對點無線電
  • VSAT
  • 測試儀器儀表
  • 軍事和太空
  • 時鐘發生

方框圖



技術文檔

數據手冊(1)
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