進(jìn)迭時空推出首款PsP(Package-side-Package)封裝CoM(Computer-on-Module)產(chǎn)品B1,集成RISC-V AI CPU芯片K1、LPDDR4x芯片和無源器件,重布線DDR接口信號,重排布信號電源ball。通過進(jìn)一步優(yōu)化硬件解決方案,可以協(xié)助解決客戶設(shè)計DDR模板的困難,縮短客戶產(chǎn)品開發(fā)周期,助力RISC-V生態(tài)建設(shè)。
B1產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
(a)頂視圖
(b)剖視圖
B1產(chǎn)品規(guī)格
▲
CPU:RISC-V AI CPU芯片K1
▲
AI:CPU融合2.0Tops
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DDR:4GB/8GB/16GB容量;2666MT/s數(shù)據(jù)率
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接口:豐富接口組合,滿足多樣連接需求
視頻類:
MIPI-DSI 4lane;HDMI 1.4;MIPI-CSI 4+4(2+2)lane
存儲類:
2*SDIO3.0;MMC5.1;QSPI
控制類:
4*SPI;4*I2S;10*I2C;2*CANFD;30*PWM;12*UART
高速類:
2*USB2.0;1*USB3.0 combo PCIe2.1 x1;2*PCIe2.1 x2;2*GMAC
▲
封裝:
類型:PsP-BGA Package
引腳數(shù):568-pin
尺寸:23mm×33mm×2.4mm
間距:1mm pitch
焊球尺寸:0.6mm
B1產(chǎn)品優(yōu)勢
更優(yōu)的SIPI性能
①重布線DDR接口信號,B1縮短了DDR芯片與K1芯片的物理距離,信號傳輸路徑減小約50%。
②重排布信號ball,所有信號均能在Top層扇出,差分信號支持包地。
③CORE電源和DDR電源ball數(shù)量,相比K1翻倍;支持底板Bottom層添加0603大電容。
更短的開發(fā)周期
①DDR模板layout和SIPI仿真,一般不少于15天。B1不需要再進(jìn)行DDR模板layout和SIPI仿真,可以節(jié)省至少15天的開發(fā)時間。
②B1支持4層通孔底板設(shè)計,相比K1,量產(chǎn)制板時間可省約3天。
③B1精簡電源數(shù)量為15路,相比K1減少約50%,只需2層就能完成所有信號電源的扇出,顯著降低了layout難度,縮短了layout時間。
更少的開發(fā)問題
B1集成確定型號的LPDDR4x芯片,經(jīng)過嚴(yán)格的穩(wěn)定性和可靠性測試,提前解決了DDR模板問題,客戶開發(fā)和量產(chǎn)中將不會為DDR問題而困擾。
更低的量產(chǎn)成本
隨著B1生產(chǎn)量上升,相比客戶單獨采購,有機(jī)會獲取更優(yōu)惠的LPDDR4x芯片價格,為客戶爭取到量產(chǎn)成本降低的實際收益。
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