近日,日本市場研究機構富士經濟發布的報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢與技術趨勢》,深度分析了功率半導體晶圓市場現狀及其發展前景。
報告預測,2024年,全球功率半導體市場將較去年增長23.4%,達到2813億日元。盡管受庫存調整影響,硅功率半導體硅片市場略有下降,但得益于各大廠家產能提升,預計SiC裸片銷量將同比增長達56.9%,超硅片市場。
展望未來,伴隨功率半導體需求持續上漲,預計市場規模將逐步擴大。尤其是汽車電動化推動下,SiC裸片有望成為市場主要驅動力,硅片亦有望擺脫產量調整影響。同時,GaN晶圓直徑增大及氧化鎵晶圓量產等新進展,預示著2035年市場規模將擴增至10,763億日元,為2023年的4.7倍。
盡管當前功率半導體市場尚處起步階段,但諸如金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等前沿技術正積極研發,其實際應用令人期待。
報告指出,近年來,隨著功率半導體需求攀升,晶圓直徑不斷加大。除轉向300mm硅晶圓外,預計自2025年起,8英寸(200mm)SiC裸晶圓市場將迎來爆發式增長。此外,6英寸(150mm)GaN晶圓和氧化鎵晶圓也在加緊研發中,以滿足功率半導體市場需求。
然而,現階段硅功率半導體主要依賴8英寸晶圓供應,預計未來8英寸晶圓占比仍將保持在60%以上(按晶圓數量計算)。300mm晶圓日益廣泛應用于IGBT和MOSFET,隨著汽車和電氣設備領域需求增長,其采用率預計將繼續提高,未來除特定器件外,8英寸和300mm晶圓將分別占據主導地位。
另據報道,目前SiC裸片以6英寸為主,預計該狀況將維持一段時間,但8英寸晶圓市場預計將于2025年啟動,部分樣品已開始出貨,預計到2035年,8英寸晶圓將占全部SiC裸晶圓(按晶圓數量計)的13.3%。相比之下,傳統4英寸晶圓預計僅在中國和日本等少數地區得到應用,未來市場規模或將逐漸萎縮。
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