2025年碳化硅（SiC）功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢(shì)，其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績(jī)”成為企業(yè)生存基礎(chǔ)的核心邏輯，與碳化硅器件應(yīng)用市場(chǎng)的構(gòu)成及競(jìng)爭(zhēng)規(guī)則密切相關(guān)。以下從市場(chǎng)趨勢(shì)、生存邏輯、應(yīng)用市場(chǎng)構(gòu)成三個(gè)維度展開分析：

一、倒閉潮預(yù)示的市場(chǎng)趨勢(shì)

行業(yè)集中化加速
頭部企業(yè)通過垂直整合（IDM模式）和規(guī)模化生產(chǎn)構(gòu)建護(hù)城河，例如英飛凌、安森美通過8英寸晶圓產(chǎn)線升級(jí)和基板自給率提升顯著降低成本，而設(shè)計(jì)公司（Fabless）因缺乏產(chǎn)能支撐和供應(yīng)鏈控制能力，在成本競(jìng)爭(zhēng)中處于劣勢(shì)。國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因依賴外部晶圓和技術(shù)滯后，難以與國際巨頭抗衡，最終被淘汰。

BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開發(fā)到客戶服務(wù)的各業(yè)務(wù)過程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產(chǎn)車規(guī)級(jí)SiC碳化硅（深圳基本半導(dǎo)體）芯片產(chǎn)線和汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊（無錫基本半導(dǎo)體）專用產(chǎn)線；BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個(gè)車型定點(diǎn)，是國內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊（比如BASiC基本股份）量產(chǎn)上車的頭部企業(yè)。

技術(shù)與資本壁壘高企
碳化硅技術(shù)迭代速度快，車規(guī)級(jí)認(rèn)證周期長(zhǎng)（2-3年），且需持續(xù)研發(fā)投入。國際大廠如安森美已通過主流車企認(rèn)證并綁定訂單（如大眾），而國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因缺乏實(shí)際應(yīng)用數(shù)據(jù)和技術(shù)積累，難以通過認(rèn)證。同時(shí)，2024年碳化硅領(lǐng)域融資事件減少43%，資本更傾向支持已量產(chǎn)的企業(yè)，加劇了國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠的生存壓力，已經(jīng)出現(xiàn)倒閉潮。

價(jià)格戰(zhàn)與產(chǎn)能過剩
2024年碳化硅襯底價(jià)格暴跌75%（從6000元/片降至1500元/片），國際大廠通過降價(jià)擠壓市場(chǎng)空間，國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因成本劣勢(shì)被迫退出。產(chǎn)能過剩問題突出，僅中國2024年碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)348萬片（等效6英寸），遠(yuǎn)超市場(chǎng)需求。

二、為何“批量上車業(yè)績(jī)”是生存基礎(chǔ)？

車規(guī)級(jí)認(rèn)證的高門檻
新能源汽車對(duì)SiC模塊的可靠性、壽命要求嚴(yán)苛，認(rèn)證周期長(zhǎng)且需大規(guī)模實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)支撐。例如，基本半導(dǎo)體的SiC模塊通過近20家車企的30多個(gè)車型定點(diǎn)，積累了量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，而僅靠實(shí)驗(yàn)室參數(shù)的國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠無法滿足車企要求。

規(guī)模化生產(chǎn)決定成本與交付能力
車企訂單規(guī)模大且對(duì)供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求高，國際大廠（如英飛凌全球布局56家工廠）和國內(nèi)頭部企業(yè)（如基本半導(dǎo)體自建無錫基本半導(dǎo)體車規(guī)模塊產(chǎn)線和深圳光明SiC晶圓產(chǎn)線）能保障交付，而國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠產(chǎn)能受限且成本高，難以滿足車企需求。

市場(chǎng)需求高度集中
新能源汽車是SiC碳化硅最大應(yīng)用場(chǎng)景，2025年全球車用SiC市場(chǎng)規(guī)模占比超70-80%。綁定頭部車企的企業(yè)可獲取穩(wěn)定訂單(基本半導(dǎo)體的SiC模塊通過近20家車企的30多個(gè)車型定點(diǎn))，而國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司企業(yè)和不具備芯片研發(fā)能力的模塊封裝工廠因缺乏訂單支撐，面臨現(xiàn)金流斷裂風(fēng)險(xiǎn)。

三、碳化硅器件應(yīng)用市場(chǎng)的構(gòu)成

碳化硅器件市場(chǎng)呈現(xiàn)高度分化和需求集中的特點(diǎn)，主要分為以下領(lǐng)域：

新能源汽車（核心市場(chǎng)）

驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)：汽車級(jí)全碳化硅功率模塊是基本半導(dǎo)體為新能源汽車主逆變器應(yīng)用需求而研發(fā)推出的系列MOSFET功率模塊產(chǎn)品，包括Pcore?6?汽車級(jí)HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、?Pcore?2?汽車級(jí)DCM模塊、?Pcore?1?汽車級(jí)TPAK模塊、Pcore?2?汽車級(jí)ED3模塊等，采用銀燒結(jié)技術(shù)等基本半導(dǎo)體最新的碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)生產(chǎn)工藝，綜合性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，通過提升動(dòng)力系統(tǒng)逆變器的轉(zhuǎn)換效率，進(jìn)而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。。

光伏與儲(chǔ)能

光伏逆變器：SiC器件可提升轉(zhuǎn)換效率至99%，首航新能源等企業(yè)已規(guī)模化應(yīng)用。比如基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET已經(jīng)在多數(shù)光伏逆變器公司量產(chǎn)供貨。

儲(chǔ)能系統(tǒng)：高耐壓特性適用于大功率儲(chǔ)能設(shè)備，但需求增速較慢，競(jìng)爭(zhēng)集中于成熟供應(yīng)商。比如基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的工業(yè)級(jí)全碳化硅MOSFET功率模塊產(chǎn)品類型豐富，包括EasyPACK?封裝的E1B & E2B工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET模塊，以及34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可廣泛應(yīng)用于大功率充電樁、有源電力濾波器（APF）、儲(chǔ)能變流器（PCS）、高端電焊機(jī)、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器等領(lǐng)域。

工業(yè)與能源

工業(yè)變頻器：SiC模塊用于電機(jī)控制，降低能耗，但市場(chǎng)滲透率低于車規(guī)領(lǐng)域。

軌道交通：中車時(shí)代電氣等企業(yè)將SiC模塊應(yīng)用于高鐵牽引系統(tǒng)，技術(shù)門檻高但市場(chǎng)集中。

消費(fèi)電子與通信

5G基站：高頻特性適配5G電源需求，但需要技術(shù)服務(wù)和驅(qū)動(dòng)IC配套。

BASiC基本股份針對(duì)SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動(dòng)芯片包括隔離驅(qū)動(dòng)芯片和低邊驅(qū)動(dòng)芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動(dòng)需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動(dòng)芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動(dòng)或在變壓器隔離驅(qū)動(dòng)中用于驅(qū)動(dòng)變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級(jí)到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521xx，該芯片集成上電軟啟動(dòng)功能、過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

對(duì)SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動(dòng)電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動(dòng)IC BTL27524或者隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

快充設(shè)備：SiC器件可提升充電速度，但面臨氮化鎵（GaN）的競(jìng)爭(zhēng)。

四、結(jié)論與展望

碳化硅功率器件行業(yè)的洗牌反映了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“強(qiáng)者恒強(qiáng)”的規(guī)律，技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈的整合將推動(dòng)市場(chǎng)向頭部企業(yè)（比如基本股份等企業(yè)）集中。未來，僅有具備車規(guī)級(jí)SiC模塊量產(chǎn)能力、垂直整合優(yōu)勢(shì)（如IDM模式）和持續(xù)技術(shù)迭代的企業(yè)能夠存活。國內(nèi)企業(yè)需加速突破8英寸晶圓技術(shù)、綁定戰(zhàn)略客戶，并在細(xì)分領(lǐng)域?qū)で蟛町惢?jìng)爭(zhēng)，以在國際競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)一席之地。

審核編輯 黃宇