Vishay 新型第三代 650VSiC 二極管

器件采用 MPS 結構設計

額定電流 4 A~ 40 A

正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

Vishay推出17款新型第三代 650V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件，采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用 MPS 結構，器件正向壓降比上一代解決方案低 0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值系數（FOM），相比上一代解決方案降低 17%。

與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低 30%，高溫下低 70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

與擊穿電壓相當的硅二極管相比，SiC 二極管熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在 +175?C 高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。

器件典型應用包括發電和勘探應用領域 FBPS 和 LLC 轉換器中的 AC/DC 功率因數校正（PFC）和 DC/DC 超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合 RoHS 標準，無鹵素，通過 2,000 小時高溫反偏（HTRB）測試和 2,000 次熱循環溫度循環測試，測試時間和循環次數是 AEC-Q101 規定的兩倍。

新型 SiC 二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為八周。