P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準，無鹵且符合RoHS標準。產品具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作等特性，有助于提升系統效率，降低散熱需求，在并聯使用時也不會出現熱失控問題。可應用于消費類開關模式電源（SMPS）、功率因數校正（PFC）或DC/DC 階段的升壓二極管以及 AC/DC 轉換器等領域。

碳化硅（SiC）屬于第三代半導體，派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結構相比于傳統Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級和更低的漏電流，大大提升了系統效率，特別適合在高壓高頻條件下工作。同時解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復損耗較大的問題，碳化硅二極管成本相對較低，已經廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應不同應用場景。

*附件：SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數據手冊.pdf

特征

• 符合AECQ-101
• 100%UIS測試
• 極小的反向恢復損耗
• 優異的高溫特性

優勢

• 優異的性能
• 減小系統體積
• 提升整體效率
• 減小散熱面積
• 車規級器件
• 降低系統成本
• 降低電磁干擾

應用領域

• 光伏逆變器系統
• 充電器

熱特性

典型性能

封裝外形