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      SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

      麥辣雞腿堡 ? 來源：派恩杰半導體 ? 2025-02-25 14:18 ? 次閱讀

      P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標準，具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度系數、高浪涌電流、100% UIS測試等特性，可提高系統效率，減少散熱需求，在并聯使用時無熱失控風險。
      *附件：SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管.pdf

      電氣特性

      • ?最大反向電壓：600V
      • ?正向平均電流?：2A（具體值可能根據封裝和散熱條件有所不同）
      • ?正向電壓降?：典型值在指定電流下給出（需查閱數據手冊具體數值）
      • ?反向漏電流：在指定溫度和電壓下的最大值（需查閱數據手冊具體數值）

      特征

      符合AECQ-101 | 100%UIS測試 | 極小的反向恢復損耗 | 優異的高溫特性

      優勢

      優異的性能 | 減小系統體積 | 提升整體效率 | 減小散熱面積 | 車規級器件 | 降低系統成本 | 降低電磁干擾

      應用領域

      光伏逆變器系統,充電器

      典型性能

      image.png

      包裝

      image.png

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